成本仅DUV光刻1/10：璞璘气压式纳米压印机量产8"光芯片晶圆
就在近日，璞璘科技与力策科技合作的一条消息引起了业界关注——他们利用真空气压式晶圆级NIL（纳米压印）图案化设备PL-AS，配合定制化的双层压印胶材料和核心工艺，成功实现了8英寸光芯片晶圆的规模化量产。最关键的是，这一工艺完全绕开了传统的DUV光刻路线，而芯片制造成本直接压缩到了传统DUV方案的十分
就在近日，璞璘科技与力策科技合作的一条消息引起了业界关注——他们利用真空气压式晶圆级NIL（纳米压印）图案化设备PL-AS，配合定制化的双层压印胶材料和核心工艺，成功实现了8英寸光芯片晶圆的规模化量产。最关键的是，这一工艺完全绕开了传统的DUV光刻路线，而芯片制造成本直接压缩到了传统DUV方案的十分之一。
PL-AS机台的技术指标相当亮眼：线宽分辨率小于10nm，晶圆整面压印压力均匀性误差低于0.5%，支持无残余层压印工艺，对准精度可以定制到百纳米级别。不仅如此，它还能兼容平面或曲面衬底，硬质与柔性模板都能用。
和传统的辊压法晶圆级NIL相比，PL-AS通过面施力方式确保晶圆上每一个纳米级单元受力完全一致，将RLT偏差控制到2nm以下。同时，它的吞吐量也显著高于步进式的佳能NIL设备。
至于为什么成本能降得这么低？原因在于PL-AS作为气压式设备，结构比DUV简单得多，不需要昂贵的光学系统，而且可以使用寿命更长的复合模板。这些因素叠加，构成了巨大的成本优势。
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