机构：SK海力士主供地位进一步强化，HBM竞争格局短期强者恒强
英伟达与SK海力士建立多年技术合作伙伴关系，联合开发下一代AI内存并扩大供应。SK海力士主供地位进一步强化，已获HBM4超三分之二订单。HBM跃升为平台级核心部件，其供给能力直接影响AI芯片性能释放，短期竞争格局强者恒强。
6月8日，金元证券发布了一篇电子行业的研究报告，核心围绕英伟达与SK海力士的深度绑定展开。先说几个判断：这注定是一场双赢的合作，而且很可能改变HBM市场的短期竞争格局。
双方宣布建立多年技术合作伙伴关系，联合开发英伟达下一代AI内存，并扩大供应规模。这背后的驱动力很简单——全球人工智能工厂的建设正在加速，对高性能内存的需求已经到了“有多少要多少”的地步。
从合作细节来看，英伟达方面，通过这次多年期合作，可以提前锁定HBM4及后续先进存储技术的路线和供应能力。这意味着什么？下一代AI平台的交付确定性大幅提升，不再需要为内存瓶颈而焦虑。而对SK海力士来说，回报同样丰厚：它可以借助英伟达的CUDA-X、PhysicsNeMo等工具，加速TCAD、计算光刻和内部仿真流程，提升芯片研发与工艺迭代的效率；同时，基于Omniverse、OpenUSD、cuOpt、Metropolis推进晶圆厂的数字孪生和自主运营能力建设。
一言以蔽之，双方都在用自己的核心优势，去补齐对方的短板。
SK海力士的主供地位因此进一步强化。它本身就是英伟达最重要的内存合作伙伴，根据年初韩媒的报道，SK海力士已经拿下了英伟达HBM4超过三分之二的供应订单。即便三星和美光也已经拿到了HBM4的供货资质，但HBM这个赛道，客户对量产良率的要求极高，封装的协同难度也极大。SK海力士领先的量产经验和与英伟达的深度绑定，短期内很难被打破。这次多年期的技术合作，更像是一道“护城河”，进一步巩固了它在下一代AI平台中的核心份额。
更有意思的观察在于，HBM的战略定位正在发生根本性变化。过去，它更多被视为一种配套存储；但现在，随着AI芯片持续升级，HBM已经跃升为平台级的核心部件。
原因不难理解。在大模型训练和推理的过程中，大量参数、KVCache和中间激活数据需要在GPU与显存之间高速搬运。单纯提升GPU的峰值算力，并不能完全转化为有效算力——显存容量和内存带宽，正在成为AI芯片性能释放的关键约束。进入Rubin及后续平台后，HBM4及更高阶产品将进一步提升带宽、容量和I/O密度，并与GPU通过先进封装深度集成。这意味着，HBM的供给能力、良率水平和封装协同，将直接影响AI加速卡的性能和交付节奏。因此，整个HBM产业链的战略地位有望持续提升。
和HBM3E相比，HBM4的增量主要体现在几个方面：I/O位宽提升、堆叠层数增加、带宽与容量继续扩大，以及与GPU先进封装协同复杂度提升。具体来看，微凸点/RDL、中介层与先进封装、TSV与晶圆减薄、键合与底填材料、热管理、KGD测试和先进封装检测等环节，都有望从中受益。
韩国ENF科技实现半导体级氢氟酸国产化，首批产品已交付SK海力士，用于晶圆刻蚀与清洗并投入DRAM产线。自2020年起累计投资超1000亿韩元建成一体化产能，目标2026年下半年批量外供，打破日本长期垄断。
SK海力士宣布应届生招聘废除学历门槛，不再要求本科及以上学历，重点考察实操经验、专业技能与文化契合度。高中学历可申请技术岗，产线岗也取消限制。此举旨在识别复合型人才，缓解降级应聘现象，并体现AI时代强调批判性思维、动态适应与多元共情的新型人才观。
英特尔任命SK海力士前CEOSeok-HeeLee负责先进封装业务，同日宣布与苹果合作在美国本土设计制造芯片，刺激股价飙升10%创历史新高。先进封装被确立为独立运营板块，成为重振代工业务的关键举措。
SK海力士在HPED2026展出16层48GBHBM4、12层36GBHBM4及HBM3E实物，以及CXL3.2平台256GBCMM-DDR5、最大容量256GB3D堆叠RDIMM、SOCAMM2AI内存模块、PS1010eSSD，并介绍CXL全内存系统与HMSDK，目标成为全栈AI内存制造商。
SK海力士披露赴美上市计划，将在纳斯达克发行存托凭证，预计7月10日交易。作为英伟达HBM芯片核心供应商，受益于AI爆发，股价今年涨超300%，市值超越三星成韩国第一。计划发行最高45.45万亿韩元ADR，由美国银行、花旗、高盛和摩根大通承销。
SK海力士斥资400万亿韩元在韩国西南部建存储晶圆厂及HBM产线，计划2035年实现15吉瓦AI数据中心容量。SK集团在韩本土半导体、AI数据中心等累计投资已达1100万亿韩元。
韩国政府启动大规模产业投资计划，在西南部斥资约800万亿韩元新建四座芯片厂，三星和SK海力士各承建两座，目标五年内DRAM产能翻倍。同时，2035年前AI数据中心投入超1000万亿韩元，忠清地区另投81万亿韩元建设封装产业集群。政企协同推进三大超级项目，市场反应积极。
韩国总统李在明公布芯片、物理AI及AI数据中心投资计划，西南地区新项目投资5万至20万亿韩元，长远规划投入800万亿新建四座芯片厂，三星与SK海力士各两座，目标五年内DRAM产能翻倍。三星与SK集团正酝酿十年2000万亿韩元投资，或为韩国史上最大企业投资。
美光科技CEO：AI存储需求超产能，重塑行业规则 8月21日，美股存储概念股集体上扬，其中SK海力士、慧荣科技涨幅超2%，美光科技、希捷科技涨幅超1%。当天美股收盘时，美光股价上涨3.97%。从年初至今，该股累计涨幅高达239.78%。 美光科技CEO Sanjay Mehrotra在采访中断言，人
韩国政府联合三星、SK海力士推出巨额AI投资计划，两大存储巨头扩产聚焦服务器DRAM和HBM。此举或改变全球存储格局，但资本市场反应冷淡，股价下跌。其他厂商如美光、长鑫等可能跟进，新产能预计2027年后量产。
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