砍掉DRAM缓存换上QLC闪存:三星990 Value SSD杀入入门级市场
三星发布入门级M.2NVMeGen4固态硬盘SSD990,无独立DRAM缓存,搭载自研主控与QLC闪存。2TB版顺序读取7250MB/s,写入6450MB/s;1TB版写入寿命400TBW,三年保修,定位低于990EVOPlus。
快科技7月4日消息,三星正在为一款全新的M.2 NVMe Gen 4固态硬盘SSD 990做最后的准备。这款产品定位在入门级市场,与990 EVO Plus和990 PRO形成了差异化的产品布局。
先说一个关键点:SSD 990采用的是无独立DRAM缓存的方案,依托主机内存缓冲技术来提升性能。它搭载的是三星自研的主控芯片,接口为PCIe Gen 4 x4。
那么它跟990 EVO Plus最大的区别在哪里?主要是闪存类型。990大概率会使用QLC NAND,而EVO Plus采用的是TLC NAND。这一点从写入寿命数据中也能得到印证:1TB版本标称写入寿命为400 TBW,2TB版本为800 TBW。作为对比,使用TLC闪存的990 EVO Plus在耐久性上明显更胜一筹。保修期也缩水了,只有3年,低于高端型号常见的5年标准。
不过性能方面倒是有点意思。2TB版本顺序读取速度最高能到7250 MB/s,1TB版本是7150 MB/s,两款产品的顺序写入速度都是6450 MB/s。这个速度,放在PCIe 4.0的盘里已经算高端区间了,对一款无缓存的入门级产品来说,表现相当亮眼。
还有一点值得注意:EVO Plus支持Gen 4 x4或Gen 5 x2双接口,而SSD 990只能走Gen 4 x4。目前两种容量版本已经在部分渠道的等待清单中间出现了。
三星还没有公布具体的售价和上市时间,但定位入门级的990,按理说会以一个更有竞争力的价格切入市场。当然,最终还得等官方消息。

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