PCIe 7.0硬盘4年后发布：128GB/s速度来袭

液冷、HBM、光模块:AI算力三大核心赛道
应用场景:AI工厂性能较Hopper提升50倍,推理效率提升40倍。 2.Rubin架构(2026-2027年) Rubin NVL144:2026年推出,FP4算力3.6EFLOPS,HBM4内存13TB/s,NVLink 6.0带宽3.6TB/s。 Rubin Ultra NVL576:2027年推出,FP4算力15EFLOPS(较B300提升14倍),HBM4E内存4.6PB/s,支持576颗GPU互联。 Feynman架构:2028年推出,延续性能跃升趋势。 Rubin Ultra NVL576:采用Kyber架构,PCB背板替代铜缆,提升机架密度。 成本优化:快接头尺寸缩小至1/3,单价下降但用量翻倍。 应用:Quantum-X(InfiniBand)和Spectrum-X(以太网)交换机支持400Tbps吞吐量,2026年量产。 GB300 NVL72采用5000+根NVLink铜缆(总长超2英里),1.6T速率满足高带宽需求。 HBM4(2026年量产) 性能:12/16层堆叠,带宽20.5TB/s,I/O接口2048位,溢价幅度或超30%。 厂商进展:SK海力士已交付样品,三星、美光跟进;SK海力士市占率超50%。

打破纪录:SK海力士2026年HBM、DRAM、NAND产能已全部售罄
打破纪录:SK海力士2026年HBM、DRAM、NAND产能已全部售罄IT之家 10 月 29 日消息,SK 海力士今日公布了其最新财报,营业利润达 11.38 万亿韩元(IT之家注:现汇率约合 563.99 亿元人民币)同比增长 62% 创历史新高,营收增长 39% 达 22.4 万亿韩元,净利润率为 52%。 在DDR5 存储方面,某些产品现在甚至直接从生产环节销售给客户,所以相当于 0 库存(或库存极少)。但毫无疑问,这种需求增长将波及其他领域。SK 海力士预计该项目对 HBM 的需求将是目前行业产能的两倍以上,公司将建立一套生产系统来满足 OpenAI 的需求。 目前,SK 海力士占据全球 HBM 市场一半以上的份额,三星略高于四分之一,而总部位于美国的美光则是该领域的另一家领先企业。上手森海塞尔Profile Wireless（消息于2025年10月29日发布）

SK海力士发布HBM5(E)等未来存储路线图
SK海力士在2024年AI峰会上公布未来存储技术路线图,涵盖HBM、DRAM及NAND产品演进规划。 2026至2028年间,公司将推出16层堆叠的HBM4内存,并开始供应定制化HBM4E解决方案;通用DRAM领域将提供LPDDR5R、标准版及集成计算功能的LPDDR6;NAND方面将推出支持PCIe Gen6的企业级与客户端固态硬盘,以及UFS 6.0闪存标准。（发布时间是2025年11月4日）

存储太火了!SK海力士收入利润双双飙升,2026年产能已“全部售罄”|财报见闻
财务表现:三季度营收24.45万亿韩元(约171亿美元),同比增长39%;运营利润11.38万亿韩元(约80亿美元),同比暴增62%,净利润12.598万亿韩元,均创历史新高。AI芯片业务:HBM业务占据64%市场份额,已锁定2026年全部DRAM和NAND客户需求;HBM4将于2025年四季度开始出货,2026年全面销售。市场地位:二季度DRAM市场份额38%,领先三星成为行业第一;但三星和美光正在HBM领域加速追赶,竞争格局趋紧。未来展望:预计2026年DRAM出货量同比增长超20%,HBM供应紧张将持续至2027年;2026年资本开支将高于2025年,通过M15X扩大产能。（该信息的时间戳是2025年10月29日）

SK 海力士公布未来存储路线图:HBM5 (E) 内存 2029~2031 年推出
在2026~2028 年的近期,SK 海力士将推出 16 层堆叠的 HBM4 内存,并从 HBM4E 开始供应定制化 HBM 解决方案;通用 DRAM 部分则将提供 LPDDR5R、标准与集成计算功能的 LPDDR6;至于 NAND 部分则将见到 PCIe Gen6 企业级与客户端固态硬盘和 UFS 6.0 的诞生。（2025年11月4日）

2026年的存储芯片,2025年就被抢光!SK海力士订单售罄背后:AI竞赛正引发全球供应链紧张
你或许以为芯片短缺已经是过去时,但现实是,全球第二大存储芯片制造商SK海力士刚刚宣布:2026年全系列存储芯片订单已被客户一扫而空,甚至包括明年才计划扩产的产能也全部被锁定。（截至2025年10月29日）

存储芯片,开启“黄金时代”
日前,摩根士丹利研报指出,AI 驱动下存储行业供需失衡加剧,预计将开启持续数年的「超级周期」,到 2027 年全球存储市场规模有望向 3000 亿美元迈进,存储芯片行业或正迎来新一轮产业周期的起点。（2025年11月1日的资料）

HBM芯片,要降价?
近日,高盛分析师预测,2026 年 HBM 的价格或将下跌 10%。数据显示,高盛已将 2026 年 HBM 总目标市场(TAM)预测下调 13%,从 510 亿美元降至 450 亿美元,同时将增长预期从 45% 大幅下调至 25%。去年 9 月,法国巴黎银行旗下证券部门 Exane BNP Paribas 就曾表示预计在 2025 年底前,HBM 产能将大幅超出需求,这将进一步打压价格。 SK 海力士已将 2025 年底月产能目标从 6.5 万片上调至 15 万片,并计划 2026 年进一步扩建。 美光2026 年底月产能预计达 9 万片,同时在美国加码 2000 亿美元投资,涵盖 HBM 封装设施。 也就是说,单单是 SK 海力士与三星这两家公司在 2025 年底的 HBM 月产能就达到 30 万片,而此前 Exane BNP Paribas 预测同时期的 HBM 月需求仅仅为 16.8 万片。因此,难以准确预测明年的 HBM 市场供需格局。HBM 作为半导体行业的重要品类,恐怕也难以脱离这一周期,因此需求过剩的概率仍有较大可能发生。（资料日期为2025年7月24日）

SK海力士技术路线图显示:HBM5/HBM5E、GDDR7-Next、DDR6及400+层4D NAND技术将于2029-2031年间推出
SK海力士公布了其下一代技术路线图,列出了2029年之后的HBM5、GDDR7-next、DDR6和400+Layer 4D NAND。（撰于2025年11月3日）

存储芯片「超级周期」,真的来了?
三星、美光、SK海力士等行业巨头相继宣布提价,DRAM产品涨幅普遍达15%-30%,NAND闪存价格亦上调5%-10%,部分厂商甚至暂停报价以应对供应紧张;从市场端看,DDR4内存半年累计涨幅超200%,HDD、SSD、HBM等产品因AI需求爆发陷入供不应求。（搜索结果收录于2025年10月12日）

真正让人眼前一亮的还得是闪存方面，29年就会有PCIe 7.0技术的硬盘了，SK海力士还提到了eSSD企业级及cSSD消费级两个领域，不过后者更可能是在31年问世。

闪存的层数也会提升到400层以上，目前各大厂商量产的主力还是200层左右的，部分能做到230-260+层，未来两年应该会是300+层的量产时代。

400+闪存及PCIe 7.0的加入，会让当时的SSD容量及性能再上一个台阶，比如1000TB以上的PB级SSD，PCIe 7.0 x4的性能可达128GB/s，单向也有64GB/s，比当前DDR5-6400内存带宽还快，速度起飞。