芯片设备国产率不低于50%新规曝光

12月31日最新消息，据多方报道，中国已低调实施一项新监管要求：芯片制造企业在新建或扩产晶圆厂过程中，所采购设备中来自国内供应商的比例须不低于50%。

尽管该要求尚未以正式规章形式对外公布，但知情人士透露，过去数月间，凡向主管部门提交新建或扩建晶圆厂审批申请的企业，均被明确要求提供佐证材料，证明其设备采购预算中至少一半资金流向本土设备厂商。

若无法满足此项比例要求，相关项目审批大概率将不予通过。

更有主管官员在沟通中强调，50%仅为当前执行的底线门槛，绝非长期目标。

长远战略方向十分清晰——推动光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备等关键半导体制造装备实现全链条自主可控。

当然，考虑到技术现实与产业阶段，政策执行层面保留了必要的弹性空间，采取“一事一议”的审慎评估机制。

例如，在涉及7纳米及更先进制程的晶圆厂建设中，部分核心设备（如高端光刻机）可申请阶段性豁免，原因在于国产替代能力仍在爬坡阶段。

总体来看，该政策对28纳米及以上成熟制程产线的设备国产化比例约束最为刚性；而对于先进工艺产线，则视具体技术难点和供应链进展，给予差异化、过渡性的宽松安排。

统计显示，2024年至今，国有控股的中国芯片制造企业共采购国产光刻机整机及关键零部件共计421台（套），采购总额约为8.5亿元人民币。

ASML发布的2024财年第四季度财报指出：面向成熟制程的干式氟化氩（ArF）光刻机单台均价约为2790万美元，氟化氪（KrF）光刻机单台均价约为1446万美元；而用于先进制程的浸没式DUV ArF光刻机单台均价则高达8250万美元。

目前，国产光刻机主力机型仍集中于干式ArF与KrF两大类别。

2024全年，ASML共交付52台KrF步进扫描光刻机、65台i线步进光刻机、28台干式ArF光刻机、129台浸没式ArF光刻机以及44台EUV光刻机。