消息称三星电子西安晶圆厂实现 V8 (236L) 3D NAND 闪存量产

三星西安工厂成功迈入V8 NAND量产新阶段

根据韩国媒体ETNEWS于3月29日的报道，半导体产业近日迎来一则关键进展：三星电子位于中国西安的NAND晶圆厂，已成功完成一轮重要的工艺升级，正式跨入了第八代V-NAND（V8 NAND）的量产时代。这代产品的核心标志，是其高达236层的堆叠结构。

西安工厂对于三星而言，战略意义不言而喻，是其韩国本土之外最重要的半导体生产基地之一。此次制程升级的战役，其实早在2024年就已打响。工厂的目标非常明确，那就是对原有的128层堆叠V6 NAND生产线进行深度改造。这么做的目的何在？归根结底，是为了在AI时代对高性能存储设备的庞大需求面前，进一步提升产品性能和生产效率，从而巩固并增强自身的产能竞争力。

成功拿下V8 NAND的量产，显然不是终点。实际上，西安工厂的下一步棋局已经清晰可见：将目光投向了拥有286层堆叠的下一代V9 NAND。规划显示，相关的生产线将部署在X2工厂内，整个过渡计划正稳步推进，目标是在2026年内实现这一更先进技术的量产。可以预见，存储技术的竞赛，正在进入一个更为激烈的层叠时代。