消息称三星电子西安晶圆厂实现 V8 (236L) 3D NAND 闪存量产
三星西安工厂成功迈入V8 NAND量产新阶段 根据韩国媒体ETNEWS于3月29日的报道,半导体产业近日迎来一则关键进展:三星电子位于中国西安的NAND晶圆厂,已成功完成一轮重要的工艺升级,正式跨入了第八代V-NAND(V8 NAND)的量产时代。这代产品的核心标志,是其高达236层的堆叠结构。 西
三星西安工厂成功迈入V8 NAND量产新阶段
根据韩国媒体ETNEWS于3月29日的报道,半导体产业近日迎来一则关键进展:三星电子位于中国西安的NAND晶圆厂,已成功完成一轮重要的工艺升级,正式跨入了第八代V-NAND(V8 NAND)的量产时代。这代产品的核心标志,是其高达236层的堆叠结构。
西安工厂对于三星而言,战略意义不言而喻,是其韩国本土之外最重要的半导体生产基地之一。此次制程升级的战役,其实早在2024年就已打响。工厂的目标非常明确,那就是对原有的128层堆叠V6 NAND生产线进行深度改造。这么做的目的何在?归根结底,是为了在AI时代对高性能存储设备的庞大需求面前,进一步提升产品性能和生产效率,从而巩固并增强自身的产能竞争力。

成功拿下V8 NAND的量产,显然不是终点。实际上,西安工厂的下一步棋局已经清晰可见:将目光投向了拥有286层堆叠的下一代V9 NAND。规划显示,相关的生产线将部署在X2工厂内,整个过渡计划正稳步推进,目标是在2026年内实现这一更先进技术的量产。可以预见,存储技术的竞赛,正在进入一个更为激烈的层叠时代。
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