三星、铠侠减产引发2D NAND闪存供应断崖式下跌警报
全球存储厂商正将产能重心转向HBM和3DNAND，导致传统2D及MLCNAND供应急剧收紧。三星已关停其主要2DNAND产线，其他厂商也无扩产计划，预计2026年MLC产能将骤降超40%。由于其在工业等领域的不可替代性，MLC现货价格已大幅上涨。产业资源正加速流向AI相关产品与先进NAND技术。
存储市场的风向，最近转得有点猛。
全球主要存储厂商的产能重心，正以前所未有的速度向两个方向倾斜：一个是炙手可热的HBM（高带宽内存），另一个则是层数不断堆叠的3D NAND。这场轰轰烈烈的产能大迁徙，直接导致了一个看似“古老”的市场板块——传统的2D NAND和MLC NAND——供应迅速收紧，甚至出现了戏剧性的缺货。
这种缺货，已经实实在在地反映在了价格上。有市场消息显示，成熟制程的存储芯片也开始告急。以64Gb MLC NAND的现货价格为例，据称相较于2025年底，涨幅已经超过了300%。最近的成交区间，更是攀升到了20至28美元的高位。
图源：集邦咨询
产能转移：三星关停“最后据点”
MLC NAND现货价为何如此疯狂？一个关键推手来自行业龙头三星的产能调整。
从今年3月开始，三星就逐步调整其华城Line 12工厂的2D NAND生产，并将该产线改造为1c纳米制程DRAM的后段工艺工厂。这条产线原本的月产能大约在8万到10万片晶圆，更重要的是，它被业界视为三星最后一处主要的2D NAND生产基地。
按照目前的节奏，三星预计在下个月完成最后一批2D NAND的出货，随后便将彻底停止相关供应。这意味着，市场上本就有限的旧规格NAND货源，将被进一步压缩。
无人扩产：MLC产能预计骤降四成
三星的退出并非孤例。放眼整个市场，其他主要玩家如铠侠、SK海力士和美光，对于扩大MLC产能也普遍缺乏意愿。
根据集邦咨询的分析，这几家厂商目前基本只维持着为现有客户需求而进行的生产，并没有新增产能的计划。因此，一个可以预见的趋势是：全球MLC NAND Flash的产能，预计将在2026年出现同比高达41.7%的大幅下滑。
这里需要明确一点，MLC NAND虽然单颗单元只能存储2比特数据，在容量密度上无法与主流的TLC（3比特/单元）和QLC（4比特/单元）抗衡，但其在数据保存能力和耐用性方面，通常有着更出色的表现。正因如此，在一些对数据可靠性和寿命有严苛要求的领域，比如工业控制、网络设备和特定嵌入式场景中，MLC在短期内依然难以被完全替代。
未来指向：资源涌向AI与高端NAND
那么，厂商们的资源都去哪儿了？答案很明确：高利润的AI相关产品和更先进的NAND技术。
与维持“老旧”产能相比，头部厂商显然更愿意将资本和精力投向由人工智能浪潮驱动的高价值产品。报道中也提到，三星正将NAND作为下一阶段的战略重点，全力推进其400层以上的V10产品。这场由技术和市场双重驱动的产能变局，正在深刻地重塑整个存储产业的供应格局。
闪迪推动HBF技术开发，新专利将计算芯片直接堆叠于NAND闪存上方，并与HBM共封装于同一中介层。该设计旨在突破容量瓶颈，使HBM承担高速内存操作，NAND闪存负责数据存储，实现分工协同。
SK海力士规划在2026年下半年重启大连二厂扩建，旨在生产先进的238层NAND闪存，月产能目标设定为3万至5万片晶圆，整个建设周期预计持续至2027年上半年。与此同时，大连一厂将转产192层NAND。此外，该公司在韩国本土也计划新建生产线，并且无锡工厂的DRAM产能也在逐步提升。
铠侠与闪迪联合发布第十代332层QLCNAND闪存，位密度达37Gb/mm²，较上代提升60%。采用自研CMOS直接键合阵列技术，接口速率4.8Gb/s，为业界首款，显著提升存储性能与能效，适用于AI与数据中心。
TrendForce预测，NAND闪存供应紧张局面可能到2027年下半年缓解。服务器需求持续走高，但消费电子市场疲软，智能手机和笔记本电脑产量下滑。今年供应缺口约4%至5%，2027下半年供需平衡有望反转，供给压力将缓解。
根据TrendForce报告，NAND闪存短缺问题预计2027年彻底解决。2026年供应缺口维持4%至6%，2027年下半年供需有望回归平衡。上游厂商扩产及终端需求疲软是主因，企业级服务器与消费电子各占约40%产出。中国NAND闪存产出份额接近19%。
SK海力士计划2026年底前量产已验证的375层3DNAND闪存，并改用钼材料替代钨，以突破高层数堆叠带来的电阻和信号完整性瓶颈，助力后续向480层、604层演进。该技术突破将显著提升存储密度与性能，推动NAND闪存迭代，满足未来高带宽需求。
先说几个核心判断：铠侠在昨天公布的投资者日细节中，展示了其对于NAND市场走势的清晰预判，以及下一代产品的技术取舍。 今年夏天，铠侠将正式出样BiCS10 1Tb TLC NAND闪存——这款产品将随新一代PCIe Gen6企业级CM系列固态硬盘共同登场。 BiCS10选择332层堆叠，这个数字在当
三星率先量产3D NAND的故事，得从2013年说起。那一年，它们推出了首款V-NAND，一举领先同行。从24层起步，一路走到如今第9代产品量产时的290层，积累的经验可以说相当深厚。现在AI浪潮汹涌，市场不仅需要HBM这类高带宽存储器，对更高层数的NAND闪存需求也在同步攀升。此前有消息称，到20
最近，闪迪在韩国首尔的一场活动，透露了存储市场的一些关键动向。 在这场发布会上，闪迪韩国负责人分享了一个值得玩味的观察：尽管闪迪自身保持着稳定的供应节奏，但整个市场的供需天平正在倾斜。由于其他一些厂商的产品线逐渐收索，市场上的NAND闪存出现了供应缺口，这直接推动了价格的上涨。面对涨价，消费者的策略
关于铠侠下一代闪存技术的量产时间，最近有了新的说法。根据韩媒ZDNET Korea的报道，业内消息人士透露，铠侠计划将第十代BiCS FLASH（即BiCS10）的量产时间点定在2027年。具体的投资细节，预计要到2026年下半年才会变得更加清晰。这个时间表，比之前传闻的2026年量产要稍晚一些。
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