三星展示适用于 HBM5 的 HPB 封装散热结构，对线 SK 海力士的 iHBM

6月4日消息——台北国际电脑展上，三星放出了一个值得细品的动作：面向HBM5内存的HPB（热阻断路径）封装散热结构正式亮相。这可不是个小修小补，而是直接冲着高带宽内存最头疼的散热问题去的。

昨天刚曝出全球首款HBM5内存，今天就把散热方案摆上台面——三星这步棋走得挺密。HPB架构的核心逻辑其实很朴素：在封装内部塞进一根独立热柱，让它直接从堆叠内部把热量拽出来，导向封装上方或侧边的散热器。听上去简单，但难点在于，随着HBM堆叠越来越厚、速度越来越快，温度压力早就不只是“堆叠内部”的事了。

三星把火力集中对准D2D PHY区域——也就是HBM基底芯片和GPU之间那层高速连接层。说白了，这里是整个系统的“热瓶颈”之一：密度和功耗同时往上窜，传统散热手段已经有点捉襟见肘。三星给出的答案是“开一条外排通道”，而且这个方案已经在HBM4E上完成了部署和验证。

说到HBM4E，首批12层样品上个月已经出货，速率14Gbps，后续还能干到16Gbps，单堆叠带宽3.6TB/s。这些数字背后，散热压力只会更大。

三星还确认了一个关键走向：HBM5的基底芯片将从HBM4/HBM4E使用的4nm节点，切换到自家的2nm工艺。注意，这里“自家”二字很关键——三星同时握着内存和逻辑代工两条线，这意味着HBM5堆叠和基底芯片可以全部打包在自己制造体系里，整合优势非常明显。

三星Device Solutions总裁兼CTO Song Jai-hyuk说得挺直白：AI系统越做越强、越做越密，热管理、数据处理效率和封装稳定性，已经跟内存性能本身一样重要。这话放在两年前可能还是“锦上添花”，现在就是“生死线”。

当然，赛道上不只三星一家。SK海力士也盯着同一块骨头，但啃法完全不同——他们的iHBM方案走的是“嵌入式”路线，把电绝缘的导热硅冷却元件直接嵌进D2D PHY层，号称比现有产品降低超过30%的热阻。一个建通道把热量往外排，一个把冷却元件直接怼到发热点。两条路，谁更快、更稳，还得看量产验证。