发布于2026-06-08 阅读(0)
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AI算力需求持续井喷,高端GPU、ASIC、HBM这些核心器件都在往高带宽、高I/O、高集成度的方向猛冲。先进封装已经不再是简单的后段制造环节,而是升级成了系统性能优化的关键平台。封装尺寸越来越大,硅中介层受到光刻机单次曝光面积、12寸晶圆排布效率、缺陷率和成本良率的制约,继续扩尺寸的难度明显增大。传统有机封装基板在高频高速互连、大尺寸封装、热膨胀匹配和翘曲控制方面的短板也越来越突出。这时候,玻璃材料就站出来了——高平整度、尺寸稳定性好、热膨胀系数可调、介电损耗低、衬底损耗小,还适合矩形面板加工。这些特性让它有潜力成为AI/HPC大尺寸先进封装的重要载板或中介层材料。

先梳理几个核心判断。
2026年1月,英特尔发布了全球首款采用玻璃芯载板的商用CPU,这相当于给玻璃材料在封装载板层级的量产可行性打了一剂强心针。台积电这边,CoPoS已经从前期可行性研究进入试产验证阶段,预计2028-2029年间CoPoS产线的产量会大幅提升。这意味着玻璃基板在先进封装供应链中不再只是主题预期,而是实实在在地走向了产业验证。
射频IPD方面,玻璃的高绝缘性、低介电损耗、尺寸稳定性加上优异的高频特性,使它成为集成无源器件(IPD)的理想衬底材料。云天半导体、3DGS这些厂商已经实现了玻璃基IPD的量产,并且在高频、高精度应用中得到了可靠验证。CPO(共封装光学)方面,玻璃基板短期内有望率先用在玻璃基电互连载板上,长期来看,则可以进一步向玻璃光波导与光电集成方向延伸。
半导体级玻璃基板的制造流程包括玻璃原片制备、TGV成孔、孔壁金属化/铜填孔、表面金属化、重布线层(RDL)、介质层与多层互连、表面处理及可靠性验证。其中,玻璃原片决定了平整度、厚度均匀性、低缺陷和热膨胀匹配能力;TGV(玻璃通孔)负责上下层的垂直导通,是玻璃基板从结构支撑材料升级为三维互连平台的关键工艺。这两个环节的突破,直接决定了玻璃基板能否大规模落地。
原片端由特种玻璃企业主导,海外康宁、肖特、AGC、NEG等技术积累领先,国内旗滨集团、戈碧迦、力诺药包、凯盛科技、彩虹股份等企业具备材料基础。精加工端重点关注TGV成孔、孔金属化、镀铜、RDL线路和面板级制程能力,沃格光电、京东方A等已经推进玻璃基封装载板试验线、送样验证及小批量样品。辅材端像天承科技这样的材料厂商也已进入客户验证和小批量订单阶段。
原片端建议关注具备国产替代潜力的旗滨集团、戈碧迦、力诺药包、凯盛科技、彩虹股份等。精加工和辅材端建议关注具备TGV、镀铜、RDL、面板级制程及关键材料验证能力的沃格光电、京东方A、天承科技等。
风险提示:产业化进度不及预期、关键工艺进展不及预期、客户验证和订单转化不及预期等风险仍需警惕。
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