三星与英伟达的合作扩展至NAND领域:加速V10和V11闪存布局
三星与英伟达合作扩展至NAND领域,英伟达为AI服务器研发上下文存储方案,需大量SSD。三星正加速第10代V-NAND量产,第11代已启动试产,层数最高达500层。
三星和英伟达的合作,最近又往前迈了一步。从通用型DRAM、HBM到晶圆代工,双方已经绑得很深了,现在这条战线又延伸到了NAND闪存领域。

事情要从AI服务器的一个棘手问题说起。随着AI服务器出货规模越来越大,处理上下文数据(也就是Key-Value cache,简称KV缓存)已经开始形成瓶颈。英伟达的应对方案是搞一个“上下文存储”(Context Memory Storage,简称CMX),而这恰恰是三星的强项。
目前英伟达用于AI服务器的CMX方案,需要576块SSD,总容量达到9600TB。有业内人士测算,2026年CMX需要的总容量大概在3500万TB上下,到了2027年还将继续飙升,直接突破1亿TB。作为全球第一大NAND闪存芯片制造商,三星今年的产量预计能达到2.5亿TB——这么大的体量,英伟达自然优先找上门来当主力供应商。
具体到产品端,三星已经在大批量向英伟达供应第9代V-NAND闪存,同时也在加速推动第10代V-NAND的量产。第9代V-NAND的层数已经做到286层,第10代预计会提升到400层以上。三星现有的V-NAND产线月产能超过10万片晶圆,其中60%的产能分配给了第9代产品,良品率也达到了80%以上——毫无疑问,这是现阶段的主力军。
双方的合作还在往前推。第11代V-NAND闪存的开发已经启动试产,从目前的信息来看,层数最高有望达到500层。速度确实不慢。
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