诺基亚收购晶圆厂专攻磷化铟光学半导体，消息称供需缺口超 DRAM 和 NAND

苹果因存储芯片价格飙升，计划从长鑫采购DRAM以稳定供应而非降低成本，并正游说美国政府放宽管制。此举旨在应对2027年供应缺口，避免A20芯片采购量下降。

海康存储即将推出C5000ECO固态硬盘，采用M.22280外形及PCIeGen5×4接口，支持NVMe协议，基于3DTLCNAND闪存和无DRAM缓存设计，顺序读取速度高达11900MB/s，提供2TB等多种容量，主打高性价比，具备低功耗、高带宽特点，适用于高性能计算与游戏等场景。

三星即将推出新款PCIe4.0NVMeM.2固态硬盘990，采用无DRAM设计并借助主机内存缓冲技术。提供1TB与2TB两款容量，其中1TB版本顺序读取速度高达7150MB/s，顺序写入速度6450MB/s，质保写入量达400TBW。产品定位务实，性能表现出色，非常适合日常使用。

苹果正测试长鑫存储DRAM芯片用于在华销售设备，此前已游说美国政府争取采购许可。此举旨在增强供应链韧性，降低对单一供应商依赖，提升抵御市场波动与地缘风险的能力。

数据显示，2026年第二季度DRAM市场格局中，三星电子以39%份额继续领跑，环比提升1个百分点；SK海力士下滑至26%，美光占比25%。国内长鑫存储以7%份额成为增长最快供应商，营收同比增长716%，有望冲击全球前三位置。

三星电子在2026年第二季度以39%的DRAM市场份额重回全球第一，终结了SK海力士的压制。美光科技以25%的份额紧追26%的SK海力士。三星受益于通用DRAM涨价及HBM业务扩张；SK海力士因HBM均价下滑和长期供货协议锁价导致份额下降。AI需求推动HBM4即将放量，竞争格局持续演变。

长鑫科技登陆科创板，首日市值超3万亿元，成为A股市值第一。2026年一季度归母净利润达247.62亿元，接近弥补历史亏损的三分之二。扩产有望增加通用DRAM供给，但短期内难以压降全球内存价格；HBM领域仍难撼动三巨头地位。在三星、SK海力士和美光主导的牌桌上，长鑫能否坐稳需经完整周期验证。

7月29日，Counterpoint一份行业分析报告让不少手机厂商倒吸一口凉气——2026年第二季度，智能手机内存价格环比涨幅超过80%。存储这一波涨价，可以说彻底改写了手机整机的物料成本结构。从入门到旗舰，各档位机型的生产成本全线飘红，行业的盈利压力正在持续加剧。具体来看，对比2025年同规格机型

据韩媒ZDNET Korea报道，近期三星晶圆代工部门收到了大量关于3D IC解决方案的咨询——这一趋势，正在成为芯片设计行业的新焦点。所谓3D IC，就是将逻辑芯片和存储芯片垂直集成在一起，实现更紧密的互联。大家知道，HBM通过大量I/O和DRAM Die堆叠，带来了传统内存难以企及的海量带宽。但

最近有个消息挺有意思：三星电子 MX 业务部门，正在认真考虑给在中国市场销售的中低端机型（主要是 Galaxy A 系列）换上中国产的 DRAM 内存。这背后，其实藏着不少值得琢磨的细节。 为什么要这么干？直接原因，是中国智能手机品牌最近日子不太好过——存储器等核心零部件成本一路飙升，导致它们不得不