诺基亚收购晶圆厂专攻磷化铟光学半导体，消息称供需缺口超 DRAM 和 NAND

8 月 6 日消息，诺基亚今年 7 月发布 2026 年第二季度及上半年业绩报告，宣布持续拓展其长期光器件制造计划。

美国圣何塞的新工厂建设正稳步推进，量产节点锁定在 2026 年第四季度末。与此同时，诺基亚在 2026 年第二季度敲定了宾夕法尼亚州工厂的投资计划，目标是将先进测试与封装产能从 2026 年第三季度起提升 10 倍。这一系列重拳出击，直指 2027 至 2028 年预期爆发的市场需求。

作为其长期产能规划的一部分，诺基亚已达成最终协议，收购恩智浦位于美国亚利桑那州的钱德勒半导体制造园区。

在获得相关监管部门批准后，诺基亚将从 2027 年初开始租赁该园区部分设施的产能，并将其改造为生产用于光学元件的磷化铟半导体。之后，诺基亚将收购整个园区，预计交易将于 2029 年第一季度完成。

注：磷化铟（InP）是重要的 Ⅲ-Ⅴ 族化合物半导体材料，具备高电子迁移率及优异的光学性能，是 AI 数据中心光互连、5G/6G 通信的核心基础材料。

诺基亚表示，此次交易将通过引入一支拥有深厚行业经验的资深团队，进一步增强诺基亚的内部化合物半导体制造能力。此外，在当前人工智能超级周期发展日益重要的背景下，此次交易也为诺基亚在美国本土新增了磷化铟半导体制造产能。

还有一个不容忽视的信号。海外光通信龙头 Lumentum 首席执行官 Michael Hurlston 近日在 RAISE Summit 上发出警告：眼下，磷化铟的供需缺口已经超过 DRAM 和 NAND，正成为人工智能数据中心光互连扩张过程中最核心的制约因素之一。