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安卓最强 2nm 芯片:高通第六代骁龙 8 至尊版 Pro 芯片曝光,类三星 HPB 散热方案首曝

  发布于2026-08-20 阅读(0)

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嘿,8月20日有消息啦!科技媒体NotebookCheck在今天(也就是8月20日)发布了一篇博文,文中提到安卓阵营中最强的2nm芯片——高通第六代骁龙8至尊版Pro(Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro)旗舰芯片,竟然在闲鱼平台现身了。

安卓最强 2nm 芯片:高通第六代骁龙 8 至尊版 Pro 芯片曝光,类三星 HPB 散热方案首曝

发稿前再看该页面,已然显示下架。依据该媒体所分享的图片,其中有2颗芯片,芯片上均以激光刻印着“SM8975-100-BC”字样,这表明它们是该芯片的首个LPDDR5X工程样品(ES)版本。这两颗芯片各自还有着独特的批号:一颗是“FC5528M5”,另一颗则是“FX602R8T”。

封装芯片上的批号通常包含芯片制造厂、组装地点和封装日期等信息:

F 代表台积电 (TSMC),可能采用 N2P 节点

C 代表安靠 (Amkor) 的韩国工厂;

5 代表 2025 年;

52 代表第 52 周,由此推断封装日期约为 2025 年 12 月下旬。

第二个批号的结构相同,由此推断该批次芯片的封装日期约为 2026 年第 2 周。

这些照片也首次真实展现了高通参考三星 Exynos 2600 芯片上的“HPB 散热导流块”设计方案:一个位于芯片和封装盖之间的内部散热片。

图为骁龙 8 Elite Gen 6 Pro 封装

图为三星 Exynos 2600 芯片封装

消息源称高通的内存封装方式不同于 Exynos 2600 芯片。三星的 Exynos 2600 采用更小的 563 球 FBGA 封装来支持 LPDDR5X 内存。

而高通旗舰芯片需要同时支持 LPDDR6 和 LPDDR5X,其中 LPDDR6 版本采用 1295 球 FBGA 封装,而 LPDDR5X 版本采用 496 球 FBGA 封装。这两种封装都减少了芯片上用于散热片的物理空间。

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