魏哲家亲口实锤：台积电早已购入 High-NA EUV，数量是机密！
先说说这次股东会上最有意思的一个交锋。有股东直接抛出了一个挺尖锐的问题：外界传言台积电暂缓采购HighNA EUV光刻机，要是真这么做，会不会重蹈当年英特尔搁置EUV投入、最终在制程上掉队的覆辙？甚至质疑管理层是不是对自家技术实力有点太自信了。台积电董事长魏哲家当场就把这事儿给澄清了。他的回应很干脆
先说说这次股东会上最有意思的一个交锋。有股东直接抛出了一个挺尖锐的问题：外界传言台积电暂缓采购HighNA EUV光刻机，要是真这么做，会不会重蹈当年英特尔搁置EUV投入、最终在制程上掉队的覆辙？甚至质疑管理层是不是对自家技术实力有点太自信了。
台积电董事长魏哲家当场就把这事儿给澄清了。他的回应很干脆：设备早就买好了，正在用它推进多项技术研发。至于为什么没急着把它投入量产线，核心考量——说白了，成本。一个字，贵。High-NA EUV现在的生产成本确实偏高，台积电的策略是先持续优化它的生产力、想办法把成本降下来。公司会尽量发挥这套设备的优势，等时机成熟，自然就会正式上线。他最后还幽默地补了一句：公司不仅没有不投资，实际上已经买了，至于买了几台——不好意思讲。这句话一出，全场都笑了，也看得出台积电在先进制程布局上那份稳健和胸有成竹。
那么，这个被反复提及的High-NA EUV，到底是什么来头？它是目前半导体制造领域最先进的光刻技术，由荷兰ASML公司主导开发。你可以把它理解为传统EUV的“全面升级版”：在原有极紫外光刻（波长13.5nm）的底子上，将数值孔径从0.33大幅拉升到0.55，配合非对称光学系统，成像分辨率显著提升，能达到约8nm甚至更小的关键尺寸。这意味着什么？它可以直接支撑2nm、1.4nm乃至未来更先进制程的芯片量产。核心优势在于能让晶体管结构更密集、性能更强，主要服务于高性能AI芯片、先进逻辑芯片和高带宽内存的生产。
当然，代价也不小。设备体积庞大，单台价格高达3到4亿美元，技术复杂度和成本挑战都是前所未有的。说到底，它是一条延续摩尔定律、推动半导体行业进入埃米时代的关键利器。台积电现在的态度很清晰：不是不买，是买了但还没到大规模上线的火候——既要技术突破，也要算好经济账。
Marvell总裁透露，计划在下一代AI数据中心芯片中采用台积电A14制程。该制程性能提升15%或功耗降低30%，逻辑密度增加20%以上，预计2028年量产。公司已率先使用3nm、2nm制程，并预付10亿美元锁定先进制程产能。
台积电正加速新一代CoPoS封装技术开发，以矩形基板替代传统晶圆，提升面积利用率至90%以上，从而封装更大尺寸芯片并降低单位成本20%-30%。该技术计划2027年试产，2028年量产，玻璃基板预计2030年前后应用。此举旨在满足AI与高性能计算需求，巩固其在先进封装领域的领先地位。
市场调研机构数据显示，英伟达稳居台积电CoWoS产能最大客户，2027年其数据中心营收预计增长52%；AMD加速追赶，EPYCVeniceCPU出货量预计达675万颗。全球CoWoS需求爆发，预计2027年将达269.4万片，台积电计划扩产至月产能20万片以满足AI芯片旺盛需求。
台积电计划下半年上调3nm晶圆代工价格，明年可能继续涨，主要受AI与高性能计算需求推动。大部分制程节点也将调价，包括7nm，原因是EUV光刻成本上升及先进封装工艺变贵。整体涨幅5%至10%，毛利率有望提升两个百分点，部分成熟制程或跟进。
三星曾将1.4nm工艺量产延至2029年，如今重启项目并安装ASMLHigh-NA光刻设备提前布局。台积电计划2028年、英特尔计划2029年量产1.4nm，三星量产时间可能稍晚，此举旨在缩小与台积电差距并应对AI芯片对先进制程的高要求。
三星披露1.4nm及1.4nm+工艺进展，1.4nm计划2029年量产，1.4nm+计划2030年投产。相比台积电2028年量产1.4nm，三星仍有一年追赶期。通过设计与工艺协同优化（DTCO）提升良率，此前已在2nmGAA应用并降低功耗26%。同时推进第三代2nmGAA节点，预计2027或2028年量产。苹果后续芯片可能转向1.4nm，或成为三星代工突破口
Marvell正与台积电洽谈导入A14制程，预计2028年量产，较N2性能提升10-15%，功耗降25-30%，逻辑密度增超20%。公司强调能效对DSP芯片至关重要，此前曾从16nm直接跳级到5nm。
Socionext基于台积电A14制程开发面向AI数据中心的高性能计算芯片，计划今年9月完成测试流片，旨在验证XPU架构在1.4nm节点上的可扩展性。A14作为台积电N2之后的新一代GAA工艺，预计2028年量产，相较N2实现速度、功耗与逻辑密度的全面提升。
英特尔计划推出14A2工艺，采用双面供电架构并压缩金属间距至21纳米，以应对台积电和三星的1.4纳米攻势。此举可提升晶体管密度，但面临电阻增加等挑战，需借助复合供电方案维持稳定。
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