SK海力士

SK海力士盘前涨3.43%，与闪迪联合发布全球首个高带宽闪存（HBF）规范。HBF介于HBM与SSD之间，容量最高512GB，带宽0.4-3.0TB/s，采用UCIe开放标准，谷歌等已加入联盟，并通过OCP向行业开放。

2026年第二季度全球DRAM营收份额中，三星以39%居首，SK海力士以26%仅领先美光1个百分点。HBM3E价格下跌、HBM4延迟及早期低价长期协议拖累其营收，技术迭代与价格博弈下先发优势未直接转化为营收优势。

人民财讯8月11日电，美股三大指数开市整体略有上扬，道指上涨0.22%，标普500指数上涨0.13%，纳指上涨0.23%。个股方面，英伟达涨近2%，SK海力士涨近3%。

5月15日，TrendForce放出了一组最新存储器调查数据，直接把手机内存涨价的烈度摊在了台面上——LPDDR5X合约价单季环比飙涨78%到83%，LPDDR4X同期也涨了70%到75%。这两个数字，都是近几个季度以来的峰值。 这轮涨价的看点，其实不在涨幅本身，而在于两大韩系原厂三星和SK海力士，

美股三大指数收涨，道指与标普500创历史新高。芯片股强劲反弹，费城半导体指数涨超6%，闪迪、英特尔涨超10%，SK海力士涨8%，美光涨7%。地缘局势缓和，国际油价重挫超6%，市场风险偏好显著回升。

股东运动总部起诉三星电子与SK海力士高管及韩国雇佣劳动部长，指控将奖金与营业利润挂钩的协议构成背信，且部长在调解中滥用职权。目前劳资谈判陷入僵局，民事程序正在筹备中。

韩国小股东团体投诉三星电子和SK海力士高管，指控其与工会达成绩效奖金协议时未经审慎评估，涉嫌背信罪。京畿南部警察厅已立案调查。两家公司分别设定了半导体业务绩效收益10.5%和营业利润10%的奖金安排，股东团体认为该协议须经股东大会批准。

美媒报道，三星电子与SK海力士正评估中微半导体芯片制造设备，考虑引入中国工厂。三星否认，SK海力士不予置评。测试约两年前启动，正值美国对华出口限制不确定性加剧。

韩国存储芯片企业三星电子与SK海力士承诺提升股东回报，因AI驱动高带宽内存需求推动季度利润创纪录。同日，韩国股东团体指控两公司高管在绩效奖金谈判中涉嫌背信，案件已移交警方调查。

7月13日美股存储板块暴跌，闪迪跌超10%，SK海力士ADR跌7.8%，西部数据、希捷、美光跟跌。导火索为券商KIS预测SK海力士二季度营业利润60.4万亿韩元，低于市场预期65万亿，因HBM占比过高拖累均价涨幅，且营业利润率环比回落8个百分点。