发布于2025-02-24 阅读(0)
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据韩国媒体 ETNews 报道,SK 海力士已加快 16Hi(16 层堆叠)HBM3E 内存的量产准备工作,目前已全面启动生产测试,为明年初的样品交付和 2025 年上半年的规模化量产奠定基础。
SK 海力士这款 16Hi HBM3E 内存采用 24Gb DRAM 芯片和先进的 MR-RUF 键合技术,单堆栈容量达到 48GB,相比上一代 12Hi HBM3E,其 AI 训练和推理性能分别提升了 18% 和 32%。 值得一提的是,16Hi 堆叠技术将在下一代 HBM4 内存中得到广泛应用。
报道指出,SK 海力士正积极引进和测试 16Hi HBM3E 生产所需的新设备,并对现有设备进行升级和维护。消息人士透露,该公司在该新型内存的关键工艺测试中取得了积极进展。
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