三星有望在明年下半年量产下一代 3nm / 4nm 节点技术
本站11月3日消息,三星电子本周向投资者透露,近期将过渡和推进光刻技术,计划2024年下半年向市场推出采用第二代3nm工艺技术(SF3)以及量产版4nm工艺(SF4X)的产品。图源:三星电子该公司一份声明中写道:我们打算在今年下半年开始批量生产第二代3纳米工艺和第四代4纳米工艺,用于高性能计算,以进一步提升我们的技术竞争力随着移动需求的反弹和高性能计算(HPC)需求的持续增长,预计市场将出现增长趋势本站注:三星即将推出的SF3工艺技术是对其现有SF3E生产节点的重大升级。根据目前公布的信息,该节点仅用于制
本站 11 月 3 日消息,三星电子本周向投资者透露,近期将过渡和推进光刻技术,计划 2024 年下半年向市场推出采用第二代 3nm 工艺技术(SF3)以及量产版 4nm 工艺(SF4X)的产品。

该公司一份声明中写道:
我们打算在今年下半年开始批量生产第二代3纳米工艺和第四代4纳米工艺,用于高性能计算,以进一步提升我们的技术竞争力
随着移动需求的反弹和高性能计算(HPC)需求的持续增长,预计市场将出现增长趋势
本站注:三星即将推出的SF3工艺技术是对其现有SF3E生产节点的重大升级。根据目前公布的信息,该节点仅用于制造用于加密货币挖矿的小型芯片

三星声称,SF3 将提供更大的设计多功能性,可以在相同的单元类型中,为不同的全栅极 (GAA) 晶体管提供不同的纳米片通道宽度。
虽然三星没有直接比较 SF3 和 SF3E,但是他们表示 SF3 在相同功率和复杂度下有重大改进,比如性能提高了22%。此外,在相同频率和晶体管数量下,功耗降低了34%,逻辑面积也缩小了21%。需要注意的是,三星表示这些改进是相对于 SF4(4LPP、4nm 级、低功耗)的结果
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