东芝出样1200V沟槽栅SiC MOSFET,面向下代AI DC电源系统
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数据中心,尤其是那些为AI提供算力的庞然大物,正面临着一场静默的能源革命。传统的400V高压直流架构已逐渐逼近效率瓶颈,而向800V乃至更高电压平台的演进,已成为行业公认的降本增效关键路径。然而,电压等级的提升,对核心功率半导体器件提出了前所未有的严苛要求。 就在近日,功率半导体领域传来一则值得关注
数据中心,尤其是那些为AI提供算力的庞然大物,正面临着一场静默的能源革命。传统的400V高压直流架构已逐渐逼近效率瓶颈,而向800V乃至更高电压平台的演进,已成为行业公认的降本增效关键路径。然而,电压等级的提升,对核心功率半导体器件提出了前所未有的严苛要求。
就在近日,功率半导体领域传来一则值得关注的消息。东芝电子元件及存储装置株式会社宣布,开始向市场提供其新款1200V沟槽栅碳化硅MOSFET “TW007D120E”的测试样品。这款产品的首要目标,直指下一代AI数据中心的800V高压直流电源系统,同时也将目光投向了光伏逆变器、储能系统等可再生能源设备市场。

那么,这款新器件究竟有何过人之处?其核心优势源于东芝专有的沟槽栅结构设计。根据官方公布的数据,“TW007D120E”实现了单位面积导通电阻的大幅降低——相比东芝自家的现有产品,降幅达到了约58%。这个数字放在业界来看,也属于相当领先的水平。与此同时,其综合品质因数也提升了约52%。
这些技术指标的跃升,意味着什么?简单来说,就是“更低的损耗”和“更少的热量”。在数据中心电源这种7x24小时不间断运行的场景下,功率器件每降低一点导通损耗,都能直接转化为电费的节省和散热系统负担的减轻。高效运行与减少发热,共同推动了系统整体效率的提升。这对于追求极致功率密度和可靠性的下一代AI数据中心而言,无疑是至关重要的技术支撑。
据悉,东芝计划在2026财年将这款产品投入大规模量产。此外,公司也明确表示,将继续基于碳化硅技术拓展其产品矩阵,例如开发面向电动汽车等汽车电子应用的相关器件。这预示着,一场由碳化硅引领的功率半导体升级浪潮,正在从工业与能源领域,向更广阔的市场全面铺开。
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