SK hynix计划在今年量产375层3D NAND闪存 改用钼材料以突破工艺瓶颈

先说几个关键信息。SK hynix 这边已经有了新动静——他们手里那款 375 层 NAND 闪存，已经完成了验证。不出意外的话，2026 年底之前，就能在现有工厂里看到它的量产身影。目前这些厂子主要跑的是 321 层 V9 系列，到时候会通过工艺转换，让生产线支持更高的堆叠方案。

这场 NAND 堆叠层数的竞赛，SK hynix 和三星算是直接对上了。三星那边已经放出消息，要用双堆叠方案把 V-NAND 推到 400 层以上，甚至展示过直指 900 层、目标 1000 层的路线图。而 SK hynix 则选择以 375 层作为量产的阶段性节点切入战局。

有意思的是，其实 SK hynix 一开始是把这代产品定位在“400 层级”的。但在实际开发过程中发现，同一个芯片里堆的层数太多，工艺和信号传输的问题实在棘手，最后只能把设计修正到 375 层。据行业人士透露，原本规划的 400 层级已经下调，但后续路线图还在往前延伸——480 层、604 层，这些更高堆叠的节点都还在规划中。

不过，要继续往上堆到 480 层、604 层，光靠现有的材料体系已经扛不住了。报道指出，SK hynix 必须在关键的导电材料上来一次大调整：逐步放弃目前普遍采用的钨薄膜，转向钼，作为新的互连材料。这么做的目的，是为了应对高层数堆叠带来的电阻和信号完整性挑战。

背后的逻辑不难理解。在高层数 3D NAND 结构里，垂直方向的导线和通道尺寸越缩越小，钨的电阻开始失控，信号传输的损耗和延迟问题会越来越明显，这直接成了继续增加堆叠层数的“材料天花板”。而钼在高电阻环境下表现更优，即便在更窄的布线条件下也能保持较好的导通特性。正因如此，它被行业视为突破高层堆叠限制的关键材料之一。

事实上，三星已经在其部分 NAND 工艺里率先导入了钼材料，并计划今年继续优化 V-NAND 生产流程，推出首批 400 层级产品，直接巩固自己在高端存储市场的地位。SK hynix 这边，则会在跟进更高层数产品时同步完成从钨到钼的切换，全力缩小与竞争对手的技术差距。

说到底，AI、云计算、高性能终端和企业级数据中心对存储容量和性能的胃口越来越大。3D NAND 层数的不断攀升，被视为提升单颗芯片比特密度、降低单位存储成本的关键路径。但这条路并不便宜——晶圆厂得掏出大笔资金采购新材料、升级设备、转换产线，才能支撑起更高复杂度的堆叠和加工流程。

以钼为例，这几年它的需求量已经显著增长，稳稳成为 NAND 供应链里的重要角色。报道显示，三星去年采购了约 4 吨钼，今年到目前的采购量已经涨到约 10 吨。随着 SK hynix 等厂商也陆续导入钼，预计今年它的用量也会达到约 4 吨。

产业机构的预测更直接：随着 400 层级及更高层数 NAND 进入量产阶段，钼的市场需求将快速攀升——2027 年预计达 25 吨，2028 年增至 40 吨，2029 年大约 60 吨，到 2030 年左右进一步攀升到 80 吨规模。在这个过程中，材料供应、成本控制与技术迭代，将共同决定 NAND 厂商在高层堆叠时代的竞争格局。

对 SK hynix 来说，375 层 NAND 的量产不只是对自身工艺能力的一次阶段性验证，更是向 480 层、604 层乃至更高层数演进的技术跳板。如何在良率和成本之间找到平衡点，同时顺利完成从钨到钼的迁移，将直接决定它在这场与三星等对手的角逐中能不能占据有利位置。