对标英特尔EMIB，台积电被曝开发同类封装技术，股价盘中大涨8%
台积电被曝内部推进“类EMIB”先进封装技术，对标英特尔EMIB方案，消息促使其美股周四大涨7.6%。目前台积电以CoWoS技术主导AI芯片封装，同时布局玻璃基板、CoPoS等多条路线，类EMIB项目进一步丰富其封装技术矩阵，显示行业竞争正从制程向封装延伸。
芯片封装领域的竞争，正在悄然升温。台积电被曝正在内部推进一项代号为“类EMIB”的先进封装技术，目标直指英特尔现有的EMIB方案。消息一出，台积电美股周四高开高走，最终收涨7.6%，市场对此反应相当热烈。
据两位知情人士透露，台积电工程师已在内部启动该项目，目标是提供与英特尔EMIB功能相近的封装方案。芯片封装，简单说就是半导体生产的最后一道工序——把不同硅片组装成一个单元，完成接线，使它们能像一块整体那样协同工作。
目前，台积电凭借CoWoS技术主导着AI芯片封装市场。但很显然，公司并不满足于单一路径。近期，台积电不仅发布了CoWoS玻璃基板开发计划，还在中国台南搭建了CoPoS试点产线，多条路线并行扩展封装能力。类EMIB项目的曝光，进一步丰富了其先进封装技术矩阵，也折射出一个关键趋势：行业竞争正在从制程领域向封装环节延伸。
什么是“类EMIB”
先聊清楚EMIB是什么。英特尔现有的EMIB，全称“嵌入式多芯片互连桥接”，是应对先进封装需求的核心技术之一。传统2.5D封装需要在芯片下铺一整块硅中介层来连线，而EMIB只在需要连接的地方嵌入微型硅桥——打个比方，就像在两块地之间只架一座小桥，而不是铺一整条路。近期EMIB技术取得重大进展，其EMIB-T版本良率已升至98%，并且获得了英伟达、谷歌及OpenAI等多家大厂的订单。
台积电的“类EMIB”正是要在这个方向上发力，提供与EMIB功能相近的替代方案。虽然目前细节有限，但这一布局本身就说明，封装领域的技术路线正在变得多样化。
CoWoS并非终点
台积电长期以来用CoWoS技术支持高端AI芯片的封装需求。但即便公司正在大幅扩张CoWoS产能，行业仍预计芯片供应短缺将延续至2027年以后。野村证券预计，台积电2027年CoWoS产能目标将达到200万片，其中英伟达将占据约55%的份额。
为了应对产能瓶颈，台积电此前已发布CoWoS玻璃基板开发计划，并在中国台南搭建CoPoS试点产线，预计2028年下半年量产，英伟达Feynman架构GPU将是首波落地产品。
从行业格局来看，英特尔正通过EMIB巩固其在先进封装领域的差异化优势，三星也在加速布局玻璃基板等新一代方案。台积电在CoWoS基础上增加类EMIB布局，释放出一个明确信号：封装环节已经成为头部晶圆厂争夺技术制高点的新战场。谁能在先进封装上抢占先机，谁就能在下一轮芯片竞争中占据更有利的位置。
Marvell总裁透露，计划在下一代AI数据中心芯片中采用台积电A14制程。该制程性能提升15%或功耗降低30%，逻辑密度增加20%以上，预计2028年量产。公司已率先使用3nm、2nm制程，并预付10亿美元锁定先进制程产能。
台积电正加速新一代CoPoS封装技术开发，以矩形基板替代传统晶圆，提升面积利用率至90%以上，从而封装更大尺寸芯片并降低单位成本20%-30%。该技术计划2027年试产，2028年量产，玻璃基板预计2030年前后应用。此举旨在满足AI与高性能计算需求，巩固其在先进封装领域的领先地位。
市场调研机构数据显示，英伟达稳居台积电CoWoS产能最大客户，2027年其数据中心营收预计增长52%；AMD加速追赶，EPYCVeniceCPU出货量预计达675万颗。全球CoWoS需求爆发，预计2027年将达269.4万片，台积电计划扩产至月产能20万片以满足AI芯片旺盛需求。
台积电计划下半年上调3nm晶圆代工价格，明年可能继续涨，主要受AI与高性能计算需求推动。大部分制程节点也将调价，包括7nm，原因是EUV光刻成本上升及先进封装工艺变贵。整体涨幅5%至10%，毛利率有望提升两个百分点，部分成熟制程或跟进。
三星曾将1.4nm工艺量产延至2029年，如今重启项目并安装ASMLHigh-NA光刻设备提前布局。台积电计划2028年、英特尔计划2029年量产1.4nm，三星量产时间可能稍晚，此举旨在缩小与台积电差距并应对AI芯片对先进制程的高要求。
三星披露1.4nm及1.4nm+工艺进展，1.4nm计划2029年量产，1.4nm+计划2030年投产。相比台积电2028年量产1.4nm，三星仍有一年追赶期。通过设计与工艺协同优化（DTCO）提升良率，此前已在2nmGAA应用并降低功耗26%。同时推进第三代2nmGAA节点，预计2027或2028年量产。苹果后续芯片可能转向1.4nm，或成为三星代工突破口
Marvell正与台积电洽谈导入A14制程，预计2028年量产，较N2性能提升10-15%，功耗降25-30%，逻辑密度增超20%。公司强调能效对DSP芯片至关重要，此前曾从16nm直接跳级到5nm。
Socionext基于台积电A14制程开发面向AI数据中心的高性能计算芯片，计划今年9月完成测试流片，旨在验证XPU架构在1.4nm节点上的可扩展性。A14作为台积电N2之后的新一代GAA工艺，预计2028年量产，相较N2实现速度、功耗与逻辑密度的全面提升。
英特尔计划推出14A2工艺，采用双面供电架构并压缩金属间距至21纳米，以应对台积电和三星的1.4纳米攻势。此举可提升晶体管密度，但面临电阻增加等挑战，需借助复合供电方案维持稳定。
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