铠侠开始送样BiCS9 FLASH 3D闪存1Tb TLC，采用230层阵列
铠侠出货第九代BiCSFLASH3D闪存1TbTLC样品，采用230层存储阵列，接口速率4.8Gb/s，面向中低容量、高性能及能效场景，与侧重未来大容量的第十代产品形成差异化布局。
铠侠今天宣布了一个新消息，正式开始出货其第九代BiCS FLASH 3D闪存技术的1Tb TLC存储器样品。这已经不是第一次看到BiCS9的样品了，但这次有个关键变化——和之前出样的512Gb TLC版本不同，这款新产品采用了230层存储阵列，所以从堆栈高度来看，它和上一代BiCS8差不多。
但别急着下结论，它真正的亮点在于CMOS技术：据说和未来的BiCS10用了同一套，这意味着接口速率直接飙到了4.8 Gb/s。所以，它在接口性能上反而比更早的版本更接近下一代。
铠侠在官方声明中强调，第九代BiCS FLASH主要面向对中低容量存储有高性能和能效要求的应用场景；而提升到332层的第十代产品，则更侧重于满足未来大容量、高性能的需求。简单来说，这两条产品线各有侧重，从技术路线图看，也体现了铠侠对不同市场需求的差异化布局。
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