三星 2纳米！特斯拉 A15芯片成功流片！

说起来，特斯拉AI5芯片的进展又有新消息了。据三星代工厂的一位首席工程师在领英上透露，这枚备受瞩目的芯片已经顺利流片，接下来就要交给三星晶圆厂，用他们最新的2nm级工艺来量产。

这位名叫James Kim的三星工程师在帖子里写道：“特斯拉与三星合作的AI5芯片已顺利流片。该芯片计划在泰勒晶圆厂采用我们最新的2nm工艺制造，很快将搭载于特斯拉新一代产品。过去数月，能与特斯拉帕洛阿尔托、奥斯汀基地的顶尖工程师合作，我倍感荣幸。” 从这位工程师的措辞中，能感受到双方团队合作的热度。

早在今年4月中旬，埃隆・马斯克就曾公开展示过特斯拉AI5的首版样片，并透露这款处理器将同时交给台积电和三星两家代工厂来生产。不过，要说节奏，台积电工艺版本的AI5流片时间，比三星工艺版本早了几个月。

马斯克当时展示的那个AI5处理器模组，外观上相当紧凑，集成了尺寸小巧的加速芯片。根据他此前的说法，这枚芯片的面积大概只有半片光刻掩模版那么大。模组另一边，搭配了12颗SK海力士的存储封装，规格上看是标准的GDDR6或GDDR7显存。整个封装用的是有机基板，存储元件的标识也和传统独立DRAM芯片保持一致。

特斯拉目前还没有公布AI5的内存子系统位宽，但12颗显存封装的配置，本身就暗示了其外部内存接口的带宽规格不会低。如果模组确实搭载了12颗GDDR6/GDDR7显存芯片，那么处理器将配备的是384位内存总线。再结合选用的显存工艺和传输速率，最终的内存带宽区间大致可以落在768GB/s到1.536TB/s之间。这个带宽水平，对自动驾驶和AI推理来说，效果如何，值得期待。