EMIB-T封装良率逼近90% 英特尔盘前涨3.5%
英特尔盘前股价上涨百分之三点五,因其EMIB-T封装技术成本较台积电CoWoS低约百分之五十,良率已接近百分之九十,但基板良率仅约百分之五十成为产能扩展的主要瓶颈,预计二零二七年大规模提供该封装服务。
8月4日,英特尔(INTC.US)盘前股价上涨3.5%,报94.19美元。这背后,是公司正在全力推进俄亥俄州那座占地约1000英亩的大型晶圆厂园区——目标是在2031年实现全面运营。为了加速工程落地,英特尔甚至给员工开出了高额加班奖金,可见对这块“未来的阵地”有多着急。这个园区将生产英特尔“埃米时代”的18A和14A制程节点,而14A工艺的大规模量产,也计划在2031年实现。换句话说,英特尔正在押注下一代制程,希望用时间换空间。
与此同时,英特尔在先进封装领域也放出了新消息。其EMIB-T封装技术成本低于台积电CoWoS方案约50%,预计2027年大规模提供该封装服务。目前封装良率已接近90%——这算是个好消息。但问题在于,基板良率只有约50%,成了产能扩展的主要障碍。供应商们正在拼命提升对应产能与良率。从数据来看,英特尔在封装成本上确实有优势,但良率瓶颈如果迟迟不破,可能会拖慢整体节奏。话说回来,这项技术若能顺利落地,对英特尔在先进封装市场的竞争力将是关键一步。
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