价格翻倍！利好突袭：存储芯片，传来大消息
受AI需求激增与产能结构性瓶颈影响，高带宽内存（HBM）价格预计2027年翻倍。SK海力士CEO表示2027年将成为存储芯片供应最紧张年份。威刚同时透露2026年第三季度DRAM和NANDFlash价格将持续上涨，供需矛盾进一步加剧，整体市场供需失衡态势显著。
存储芯片的涨价潮，显然没有停下来的意思。
研究机构DigiTimes的最新报告给出了一组关键判断：受AI需求激增和产能结构性瓶颈的双重挤压，高带宽内存（HBM）的价格预计在2027年实现翻倍。与此同时，SK海力士CEO郭鲁正也放话，2027年将是存储芯片行业供应短缺最严重的一年。种种迹象表明，这轮涨价潮不仅没有降温，反而愈演愈烈。存储模组大厂威刚的董事长近日也透露，2026年第三季度，存储芯片还会继续涨价。
价格或将翻倍
当地时间7月10日，DigiTimes最新报告援引业内人士观点称，AI算力需求爆发叠加产能结构性紧缺，HBM价格预计2027年翻倍。具体来看，下一代HBM4的价格可能从2026年下半年约2美元/千兆比特飙升至4到5美元，甚至更高。
价格飙升的根源，在于生产端的两大痛点：一方面，HBM4制造工艺难度极高，生产周期长达4到6个月，初期良品率偏低；另一方面，生产HBM所需的晶圆面积是普通DDR5内存的3倍，现有产线的产能释放空间被大幅压缩。
当前全球HBM三大主力——三星电子、SK海力士和美光科技，正通过与一级AI客户签订为期三到五年的长期协议，锁定全球内存供应。DigiTimes预判，到2027年，全球近半数DRAM产能将被大客户包揽，中小厂商想拿到供货份额将非常困难。
供应链消息进一步透露，2027年AI硬件将持续存在根本性供货缺口。到2026年底，芯片厂商的议价权将拉满，那些没有提前签订长期供货协议的消费电子企业，可能面临严重的内存断供危机。
今年，部分供应商的DDR5利润率已突破80%，这迫使芯片制造商要求更高的HBM定价，以证明从传统DRAM生产线转移的合理性。紧缩供应、涨价叙事，正在成为存储芯片板块的强大催化剂。
美东时间7月10日，韩国存储芯片巨头SK海力士通过美国存托凭证（ADR）在美股市场首次亮相，创下历史纪录的265亿美元发行规模。其ADR价格大涨超12%，较韩股普通股股价存在显著溢价，显示出美股存储芯片板块巨量交易的强劲延续态势。
SK海力士首席执行官郭鲁正表示，全球存储芯片行业正迈向史上最严重的供应短缺，预计2027年将成为行业供应最紧张的一年。尽管公司正积极扩充产能，但他预计，存储芯片需求仍将持续超过公司的生产能力，并且一直延续到2030年以后。
存储模组大厂释放重磅信号
全球第二大存储模组企业——威刚董事长陈立白近日透露，2026年第三季度存储芯片继续涨价。他表示，第三季度DRAM与NAND Flash价格将再度大幅上调，两大产品线涨势明确，存储产业的上升通道仍在加速。
陈立白透露，存储器原厂已通知第三季度DRAM合约价将上涨20%至30%，NAND Flash将调涨35%至40%。两大产品线价格均维持上升趋势，将持续助力威刚业绩表现。他还提到，当前三大存储原厂2026年绝大部分产能早已提前订满售出，不少客户已经开始洽谈2027年及更长期的供货合约。
威刚表示，随着AI算力需求持续扩张，厂商分配给通用DRAM、消费级固态硬盘NAND闪存的产能持续缩减，本就处于供给最紧张阶段的存储市场供需矛盾将进一步加剧。2027年内存、固态硬盘产品的供货紧缺问题或将进一步恶化。
在此之前，多家机构也发表报告预计2026年第三季度存储芯片价格将继续上涨。据TrendForce（集邦咨询）最新发布的存储器价格调查报告，第三季度整体DRAM格局持续极度紧缺，但因消费级应用需求下修及高价格基数原因，合约价涨幅收敛，预计将季增13%—18%。
NAND Flash方面，集邦咨询认为，主要需求仍由AI推理与大型数据中心建设支撑，但因合约价格已达历史高点，消费端客户在需求放缓的情况下，对价格承受力已达极限，预计整体NAND Flash合约价将季增10%—15%，涨价幅度较前几季明显缩减。
瑞银在7月发布的最新报告中大幅上调存储芯片价格预期，称DRAM报价会在第三季度上涨32%（此前预期17%）、第四季度再涨18%（此前预期12%）；NAND Flash报价预计会在第三季度上涨30%，第四季度将再涨12%。
排版：罗晓霞 校对：高源
6月15日，A股存储芯片板块集体走强，德龙激光涨超13%，柏诚股份等涨停，华润微涨超8%，国科微涨超6%，涵盖设备、材料、封测等环节，市场对存储周期回暖预期升温，板块个股普遍上涨，资金积极布局，行业景气度有望回升。
存储芯片价格暴涨，8TB固态硬盘售价达2.5万元，DDR5内存均价涨288%，车规级芯片涨180%。根源系AI算力爆发挤占产能，云厂商锁死供给，下游手机被迫涨价。紧缺格局至少持续至2026年。目前国内芯片相关企业超87万家，广东占比31.65%。
美股三大指数表现分化，费城半导体指数涨超百分之一，存储芯片板块强势，美光科技大涨百分之六创历史新高，市值突破一点三六万亿美元，闪迪、西部数据等跟涨；国际油价大幅跳水，布伦特原油跌超百分之三。
受行业需求复苏预期提振，A股存储芯片板块今日持续走强。天山电子、深科达封上20CM涨停，正帆科技、中科飞测等涨超10%，深科技、恒烁股份等跟涨。市场资金积极追捧，个股赚钱效应突出，板块效应显著，整体表现亮眼，市场做多氛围浓厚。
美东时间7月1日，美股存储芯片板块盘中大幅下挫，闪迪跌超10%，美光跌近9%。此前该板块刚创历史最佳季度表现。分析认为，下跌主要源于获利了结和板块轮动，行业基本面未明显转弱。
存储芯片股（美光、闪迪、西部数据）贡献标普500今年近四分之一涨幅，但盈利预期上修动能减弱，行情从预期驱动转向业绩验证。下半年需依赖实际业绩支撑估值，否则可能成为波动来源。
7月6日美股三大指数高开，费城半导体指数涨近3%。半导体存储芯片股集体走强，西部数据涨超7%领涨，希捷科技、博通等跟涨。中概股普遍上涨，科技股表现分化，涨跌互现。
三星电子二季度业绩亮眼，营收与利润大幅增长，但美股存储芯片股盘后普跌，闪迪跌超3%，美光、希捷等跌逾2%。市场担忧行业供需拐点、库存及下游需求持续性，提前消化潜在风险。
三星Q2营业利润达86万亿韩元，同比飙升约18倍，连续三个季度刷新纪录。AI基础设施建设带来结构性需求，存储芯片进入“超级周期”。涨价驱动力来自AI芯片对存储产能的虹吸效应，DRAM价格持续上涨。
Omdia预测，2026年中国半导体市场规模将达8120.8亿美元，同比增长92.9%；其中存储芯片市场受AI算力需求及国产替代推动，总额暴涨262.9%，规模达4496亿美元。
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