澜起科技第三代MRCD/MDB芯片再提速 计划年内完成工程研发
澜起科技第二子代MRCD/MDB芯片出货量攀升,获全球内存模组厂商认可。公司计划年内完成第三子代工程研发,速率提升25%至16000MT/s,并布局PCIeSwitch等新业务。
就在7月3日,澜起科技的一则公告引起了行业关注。作为MDB芯片国际标准的牵头制定者,这家公司在相关技术领域一直保持着领先身位,而这次他们公布的最新进展,再次印证了这一点。
早在2025年1月,澜起科技就推出了第二子代MRCD/MDB芯片。最近两个季度,这款产品的出货量出现了明显攀升。说白了,就是产品性能够硬、稳定性出色,才赢得了全球主要内存模组厂商的认可。对于整个产业来说,这为后续的大规模放量打下了坚实基础。
而接下来,澜起科技的棋还没下完。按照规划,他们将在今年内完成第三子代MRCD/MDB芯片的工程研发——目的很明确,进一步巩固技术领先地位。
目前全球范围内,能够提供DDR5第一子代MRCD/MDB芯片(支持速率8800MT/s)的供应商只有两家,澜起科技是其中之一。不仅如此,他们还深度参与了MDB芯片的JEDEC国际标准制定工作,这是实打实的“游戏规则制定者”角色。
说到技术迭代,第三子代的提升相当可观。第三子代MRCD/MDB芯片支持的速率预计将达到16000MT/s,相比第二子代的12800MT/s,直接提升了25%。这可不是挤牙膏式的升级,而是实打实的代际跨越。

当然,澜起科技的野心不止于内存接口芯片。从公告来看,他们还在PCIe Switch、以太网及光互连相关产品上布局。随着这些新产品逐步进入规模商用阶段,加上公司产品组合不断丰富,可以预见的是,这些新业务将成为推动未来成长的重要引擎——说到底,技术积累越厚实,能打的牌就越多。
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