三星电子发布HBM封装新专利
三星电子发布HBM封装新专利,采用“深槽切割”工艺将堆叠芯片侧面加工成三级阶梯状曲面,缓解应力集中与分层开裂问题。热管理方面,粘合绝缘层底面与水平延伸面垂直距离精确控制在1至10微米,改进凸起结构减少填充料,提升散热效率。
6月30日,三星电子低调甩出了一份HBM封装新专利,名字很长——“包括沿垂直方向堆叠的多个半导体芯片的半导体封装”。明摆着,这是冲着高带宽内存的可靠性痛点去的。根据6月28日提交的申请文件,三星祭出了一套“深槽切割”工艺:把堆叠在HBM顶部的虚拟芯片侧面,直接加工成三级阶梯状曲面结构。说实话,这一招挺巧妙的——在高堆叠HBM里,芯片分层、开裂、翘曲这些老毛病,往往就是因为应力集中和界面结合不牢。这种阶梯曲面设计,等于给多层结构加了缓冲带,让应力均匀释放。
再看热管理这块,专利里写得很细:粘合绝缘层底面与水平延伸面之间的垂直距离,被精确锁死在1到10微米之间。这个窄区间可不是随便定的,它意味着既保持住现有的传热效率,又不牺牲封装密度。更妙的是,还附带了一种改进的凸起表面结构,能最大限度压缩成型层的体积——说白了,就是把那些不必要的“填充料”减到最少,从而为热量传递扫清障碍。可以说,三星这次在HBM封装上,不只盯着性能和容量,还在可靠性、散热和制造精度之间打了一套组合拳。
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