存储三巨头遭集体诉讼：被指借HBM转型合谋操纵DRAM价格，制造“内存末日”

6月25日，三星、SK海力士和美光这三家存储芯片巨头，在美国加利福尼亚联邦法院被集体诉讼了。原告约翰·特里诺，代表的是近年来购买过传统DRAM产品的消费者和企业。他们指控的罪名很直接：这三家公司利用市场主导地位，以向HBM（高带宽内存）转型为借口，联手削减DDR3和DDR4这类传统内存的产量，人为制造供应短缺。说白了，就是典型的协同减产。

核心指控：产能挤压与协同减产

这件事的核心逻辑，其实是个非常直白的商业问题——HBM对传统DRAM产能的挤压效应。HBM内存芯片的物理尺寸，差不多是标准DDR芯片的两倍，这意味着它要消耗更多的晶圆面积。数据很能说明问题：到2026年，HBM预计会占据全球DRAM晶圆产能的大约25%，而且需求还在以每年约70%的速度疯涨。尽管全球DRAM晶圆总产能预计增长14%，但分给传统DRAM的产能，只有10%的增长。这个“剪刀差”直接导致了一个结果：消费级内存出现供应缺口。

原告认为，这三巨头本来有能力同步扩产传统DRAM来填补缺口，但它们偏偏选择把产能一股脑儿集中到利润更高的HBM上，这就等于事实上的协同减产。而这一行动的直接后果，就是DRAM价格在过去四年里飙升了大约700%。苹果最近全面上调iPad和Mac的售价，就被看作是价格传导的典型案例，并且已经被列入诉讼证据。

历史重演与市场展望

要说起来，这几家公司可不是头一回干这种事。2005年，三星、SK海力士（以及当时的尔必达）就曾因为操纵DRAM价格，在美国司法部认罪，总共被罚款7.31亿美元，好几名高管还因此坐牢。原告的论点是，这三家如今只是把当年的操纵手法，换了个“HBM转型”的新包装而已。

往后看，HBM对传统DRAM产能的吞噬还会持续。三巨头在HBM领域的寡头地位，让他们有足够的能力主导产能分配。这场诉讼到底能不能真正改变存储市场的供需格局，还得走着瞧。