三星QLC闪存现缺陷,内存闪存接连出问题
长期以来,三星稳坐全球DRAM与NAND闪存市场的头把交椅,但近两年其领先地位正面临严峻挑战。在DRAM领域,自DDR5时代起,SK海力士便逐步实现反超。尤其在HBM内存技术上,SK海力士领先优势明显,已连续两个季度营收超越三星,终结了后者长达二三十年的“内存一哥”地位。NAND闪存方面,行业普遍已迈入300层以上TLC、QLC时代的量产进程。然而,三星却在其第九代V9闪存上遭遇挫折。尽管V9TLC早在2023年4月就已投入量产,核心容量达1Tb,但其V9QLC版本虽于2024年9月宣布量产,却被曝存

长期以来,三星稳坐全球DRAM与NAND闪存市场的头把交椅,但近两年其领先地位正面临严峻挑战。
在DRAM领域,自DDR5时代起,SK海力士便逐步实现反超。尤其在HBM内存技术上,SK海力士领先优势明显,已连续两个季度营收超越三星,终结了后者长达二三十年的“内存一哥”地位。
NAND闪存方面,行业普遍已迈入300层以上TLC、QLC时代的量产进程。然而,三星却在其第九代V9闪存上遭遇挫折。尽管V9 TLC早在2023年4月就已投入量产,核心容量达1Tb,但其V9 QLC版本虽于2024年9月宣布量产,却被曝存在质量缺陷,性能表现不佳且延迟问题突出,导致全面量产计划至少推迟至2026年上半年。
目前,三星旗舰级QLC闪存仍停留在V7架构,V8世代甚至未推出QLC型号。而QLC凭借更高容量和更低单位成本,在AI浪潮下需求旺盛,已成为市场主流。此次关键节点的延误,势必对其市场份额与营收增长造成重大冲击。
相比之下,SK海力士再次抢占先机——已于今年8月率先宣布全球首个量产超过300层的QLC闪存,堆叠层数高达321层,不仅实现量产,还带来了接口速度翻倍、写入性能提升56%、读取性能提高18%的显著进步,进一步拉大了与三星的技术差距。
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