铠侠与闪迪联合发布第十代332层QLC闪存 接口速率突破4.8 Gb/s
铠侠与闪迪发布第十代332层QLC3D闪存，密度提升60%至37Gb/mm²以上，接口速率4.8Gb/s，为全球首款。采用CBA技术及ToggleDDR6.0协议，引入PI-LTT技术改善能效，面向AI与云端基础设施。
先说几个关键点：铠侠和闪迪最近联手放了个大招，发布了新一代四层单元（QLC）3D闪存技术。相比上一代第8代产品，这次硬生生把存储密度提升了60%，密度飙到了37 Gb/mm²以上。这数字，在业界已经是天花板级别了，传输性能和能效也跟着站上了新高度。
核心技术在于两家公司拿手的CMOS直接键合至阵列（CBA）技术。简单说，就是把CMOS逻辑电路和存储阵列分别放在独立的晶圆上制造，再用高精度晶圆对晶圆对齐技术键合到一起。这种架构优化带来的好处很直接：读取和写入带宽大幅提升，并且它成了全球首款接口速率达到4.8 Gb/s的QLC 3D闪存——这速度，当前行业里独一份。
物理架构上，第十代QLC 3D闪存采用了332层设计，搭配优化的版图布局。协议层面，Toggle DDR6.0和独立命令地址（SCA）协议把高速接口的潜力完全释放了出来。同时，新引入的电源隔离低抽头终端（PI-LTT）技术，专门改善了I/O数据输出传输的功耗，这对于当前AI和云端基础设施面临的能效和散热挑战，简直是雪中送炭。
铠侠首席技术官宫岛英史提到，当人工智能从生成式AI向智能体AI乃至物理AI演进时，数据应用场景越来越复杂，数据量也在爆炸式增长。QLC技术正好能高效存储这些海量数据，给AI系统提供更强的性能和扩展性。铠侠已经在加速推动第十代QLC闪存产品的商业化进程。
闪迪首席技术官阿尔珀·伊尔克巴哈尔则强调，AI训练、推理以及超大规模数据中心的工作负载，给存储行业带来了前所未有的压力。市场需要更大容量、更高性能、更佳能效的解决方案。而第十代QLC 3D闪存，重新定义了QLC NAND的性能和效率边界，在密度、带宽和能效上实现了同步提升，为下一代基础设施应用打下了可扩展的坚实基础。
三星发布入门级M.2NVMeGen4固态硬盘SSD990，无独立DRAM缓存，搭载自研主控与QLC闪存。2TB版顺序读取7250MB/s，写入6450MB/s；1TB版写入寿命400TBW，三年保修，定位低于990EVOPlus。
长期以来，三星稳坐全球DRAM与NAND闪存市场的头把交椅，但近两年其领先地位正面临严峻挑战。在DRAM领域，自DDR5时代起，SK海力士便逐步实现反超。尤其在HBM内存技术上，SK海力士领先优势明显，已连续两个季度营收超越三星，终结了后者长达二三十年的“内存一哥”地位。NAND闪存方面，行业普遍已迈入300层以上TLC、QLC时代的量产进程。然而，三星却在其第九代V9闪存上遭遇挫折。尽管V9TLC早在2023年4月就已投入量产，核心容量达1Tb，但其V9QLC版本虽于2024年9月宣布量产，却被曝存
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