铠侠与闪迪发布第十代332层QLC NAND闪存

铠侠与闪迪的QLC闪存技术迭代，终于有了实质性的进展。

先说几个关键点：这次双方联合推出的，是第十代QLC 3D闪存技术，相比第八代，位密度提升了整整60%，达到了超37Gb/mm²。这个数字，意味着在同样面积的晶圆上，能塞进更多的存储单元，直接拉高容量天花板。

关键突破在于采用了双方自研的CMOS直接键合阵列（CBA）技术。简单来说，就是把CMOS逻辑电路和存储阵列分开，在不同的晶圆上制造，最后通过高精度晶圆对晶圆键合技术“粘”在一起。这种设计的好处是，能各自优化工艺，互不干扰，这才是最值得关注的地方。

读写带宽也同步升级，成为业界首款接口速率达到4.8Gb/s的QLC 3D NAND闪存技术。这个速度，对高密度存储场景下的读写效率提升非常关键。

另外，技术参数上还有一个重点：第十代产品采用了332层NAND堆叠技术，配合Toggle DDR6.0和独立命令地址协议（SCA），才最终实现了60%的位密度提升。堆叠层数、接口协议、架构设计，三者缺一不可。