三星HBM3E产能缩减，1b nm制程扩大引关注

12月3日最新消息，据多家媒体报道，三星正评估对其DRAM制造布局进行战略性调整，拟将原本用于HBM3E内存生产的1a nm工艺通用DRAM产能缩减30%～40%。

与此同时，三星计划通过工艺节点迁移，加速提升面向主流内存产品（包括DDR5、LPDDR5x等）的1b nm制程产能，从而优化整体盈利能力。

受AI应用爆发式增长、HBM系列芯片持续抢占先进制程核心产线，以及短期内扩产节奏相对保守等因素影响，DDR5、LPDDR5x及GDDR7等通用型内存市场价格近期大幅上扬。

对三星而言，当前1b nm制程的实际盈利水平已反超传统认知中更具溢价优势的1a nm制程——后者虽与高单价HBM挂钩，但实际收益受限于出货规模与定价能力。

尽管三星已顺利跻身NVIDIA HBM3E供应链，但其实际供货量较为有限；加之其HBM3E平均售价较主要竞争对手SK海力士低约30%，进一步压缩了该产线的利润空间。

业内分析指出，若三星将原属1a nm制程约30%～40%的产能，连同部分1z nm等成熟节点产能一并转向1b nm制程，预计可使1b nm月度晶圆投片量额外增加约8万片，显著增强公司整体盈利表现。