三星HBM3E产能缩减,1b nm制程扩大引关注
12月3日最新消息,据多家媒体报道,三星正评估对其DRAM制造布局进行战略性调整,拟将原本用于HBM3E内存生产的1anm工艺通用DRAM产能缩减30%~40%。与此同时,三星计划通过工艺节点迁移,加速提升面向主流内存产品(包括DDR5、LPDDR5x等)的1bnm制程产能,从而优化整体盈利能力。受AI应用爆发式增长、HBM系列芯片持续抢占先进制程核心产线,以及短期内扩产节奏相对保守等因素影响,DDR5、LPDDR5x及GDDR7等通用型内存市场价格近期大幅上扬。对三星而言,当前1bnm制程的实际盈
12月3日最新消息,据多家媒体报道,三星正评估对其DRAM制造布局进行战略性调整,拟将原本用于HBM3E内存生产的1a nm工艺通用DRAM产能缩减30%~40%。
与此同时,三星计划通过工艺节点迁移,加速提升面向主流内存产品(包括DDR5、LPDDR5x等)的1b nm制程产能,从而优化整体盈利能力。
受AI应用爆发式增长、HBM系列芯片持续抢占先进制程核心产线,以及短期内扩产节奏相对保守等因素影响,DDR5、LPDDR5x及GDDR7等通用型内存市场价格近期大幅上扬。
对三星而言,当前1b nm制程的实际盈利水平已反超传统认知中更具溢价优势的1a nm制程——后者虽与高单价HBM挂钩,但实际收益受限于出货规模与定价能力。
尽管三星已顺利跻身NVIDIA HBM3E供应链,但其实际供货量较为有限;加之其HBM3E平均售价较主要竞争对手SK海力士低约30%,进一步压缩了该产线的利润空间。
业内分析指出,若三星将原属1a nm制程约30%~40%的产能,连同部分1z nm等成熟节点产能一并转向1b nm制程,预计可使1b nm月度晶圆投片量额外增加约8万片,显著增强公司整体盈利表现。

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