内存有救了？长江存储产能翻倍！增建3座新厂

中国存储巨头产能扩张：长江存储的新棋局

最近有消息传出，国内NAND闪存制造的领头羊——长江存储，正酝酿着一轮大规模的产能扩张。根据规划，在预计今年完工的一座新晶圆厂之外，公司还计划再增建两座工厂。一旦这三座新工厂全部投入运营，其总产能将实现翻倍以上的增长。

目前，长江存储坐拥两座晶圆厂，合计月产能为20万片晶圆。而规划中的三座新工厂，每座的设计月产能均能达到10万片。这意味着，未来的产能格局将发生显著变化。

三期工程临近投产，设备国产化率超半数

备受关注的第三家工厂坐落于武汉，与现有厂区同址，预计在今年晚些时候正式投产。目前，工厂大楼已经建设完成，产线设备正在紧锣密鼓地安装调试中。

一个值得关注的细节是，该工厂超过50%的生产设备采购自国内供应商。这其中，甚至包括了用于实现芯片层垂直堆叠这一关键工艺的核心设备。这无疑是中国半导体设备产业链能力提升的一个缩影。

产能分配兼顾NAND与DRAM，全球份额持续攀升

根据规划，新建的三座工厂并非全部用于生产NAND闪存。它们都将分配一部分产能给DRAM产品，具体的分配比例，则取决于长江存储在DRAM芯片技术开发上的实际进展。这种灵活的产能布局，为其未来产品线的拓展留下了空间。

市场数据清晰地反映了其增长势头。Counterpoint的研究显示，在2025年第三季度，长江存储的NAND闪存全球出货量份额首次突破了13%的门槛，直逼排名世界第四的美光科技。可以说，它已经稳稳站在了全球存储市场的主流舞台中央。

随着三期项目的全面投产，其年产量预计将从2025年的177万片，增长至2026年的近200万片，增幅可观。

技术迭代同步推进，性能指标比肩国际主流

产能扩张的背后，是技术实力的同步支撑。目前，长江存储基于自主研发的Xtacking 4.0架构的294层3D TLC NAND闪存已经实现量产。这项技术的存储密度达到了20Gb/mm²，读写速度超过7000MB/s，更为关键的是，产品良率已突破90%。从这些核心性能指标来看，其产品已经能够与国际主流厂商的同代产品同台竞技。

综合来看，从产能的大幅规划，到设备国产化率的提升，再到技术指标的快速迭代，一系列动作都指向一个明确的信号：中国在高端存储芯片领域的自主化进程，正在进入一个全新的、更具实质性的阶段。接下来的市场格局会如何演变，无疑值得持续关注。