内存有救了?长江存储产能翻倍!增建3座新厂
中国存储巨头产能扩张:长江存储的新棋局 最近有消息传出,国内NAND闪存制造的领头羊——长江存储,正酝酿着一轮大规模的产能扩张。根据规划,在预计今年完工的一座新晶圆厂之外,公司还计划再增建两座工厂。一旦这三座新工厂全部投入运营,其总产能将实现翻倍以上的增长。 目前,长江存储坐拥两座晶圆厂,合计月产能
中国存储巨头产能扩张:长江存储的新棋局
最近有消息传出,国内NAND闪存制造的领头羊——长江存储,正酝酿着一轮大规模的产能扩张。根据规划,在预计今年完工的一座新晶圆厂之外,公司还计划再增建两座工厂。一旦这三座新工厂全部投入运营,其总产能将实现翻倍以上的增长。
目前,长江存储坐拥两座晶圆厂,合计月产能为20万片晶圆。而规划中的三座新工厂,每座的设计月产能均能达到10万片。这意味着,未来的产能格局将发生显著变化。
三期工程临近投产,设备国产化率超半数
备受关注的第三家工厂坐落于武汉,与现有厂区同址,预计在今年晚些时候正式投产。目前,工厂大楼已经建设完成,产线设备正在紧锣密鼓地安装调试中。
一个值得关注的细节是,该工厂超过50%的生产设备采购自国内供应商。这其中,甚至包括了用于实现芯片层垂直堆叠这一关键工艺的核心设备。这无疑是中国半导体设备产业链能力提升的一个缩影。

产能分配兼顾NAND与DRAM,全球份额持续攀升
根据规划,新建的三座工厂并非全部用于生产NAND闪存。它们都将分配一部分产能给DRAM产品,具体的分配比例,则取决于长江存储在DRAM芯片技术开发上的实际进展。这种灵活的产能布局,为其未来产品线的拓展留下了空间。
市场数据清晰地反映了其增长势头。Counterpoint的研究显示,在2025年第三季度,长江存储的NAND闪存全球出货量份额首次突破了13%的门槛,直逼排名世界第四的美光科技。可以说,它已经稳稳站在了全球存储市场的主流舞台中央。
随着三期项目的全面投产,其年产量预计将从2025年的177万片,增长至2026年的近200万片,增幅可观。
技术迭代同步推进,性能指标比肩国际主流
产能扩张的背后,是技术实力的同步支撑。目前,长江存储基于自主研发的Xtacking 4.0架构的294层3D TLC NAND闪存已经实现量产。这项技术的存储密度达到了20Gb/mm²,读写速度超过7000MB/s,更为关键的是,产品良率已突破90%。从这些核心性能指标来看,其产品已经能够与国际主流厂商的同代产品同台竞技。
综合来看,从产能的大幅规划,到设备国产化率的提升,再到技术指标的快速迭代,一系列动作都指向一个明确的信号:中国在高端存储芯片领域的自主化进程,正在进入一个全新的、更具实质性的阶段。接下来的市场格局会如何演变,无疑值得持续关注。
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