长江存储国产产线试产，26年目标占全球15%

长江存储在推进“全国产化”制造工艺方面取得关键进展，预计首条完全采用国产设备的生产线将于2025年下半年进入试产阶段。

自2022年底被美国商务部列入实体清单后，长江存储仍持续加快产能布局，目标在2025年实现每月约15万片晶圆的生产能力（WSPM），并计划到2026年底占据全球NAND闪存市场15%的份额。

目前，其月产能已接近13万片晶圆，约占全球总产能的8%。公司已开始量产232层TLC（三层单元）存储芯片（型号X4-9070），通过双层堆叠技术实现等效294层结构。

产品路线图显示，长江存储将推出1TB容量的TLC存储器件，并计划于今年晚些时候发布3D QLC芯片X4-6080，以及2TB规格的TLC芯片X5-9080。

后续技术迭代将采用三层堆叠方案，推动3D NAND层数突破300层，从而提升单晶圆比特产出，尽管可能伴随一定程度的吞吐效率下降。

为降低对国外制造设备的依赖，长江存储拟于2025年下半年启动一条全面使用国产化设备的试验性产线。

行业分析指出，若该产线运行成功，未来有望使比特产量翻倍，并助力市场份额突破15%。但专家也强调，该产线目前属于技术验证性质，距离全面量产仍有较长的路要走。

据TechInsights发布的报告，长江存储最新搭载“Xtacking 4.0”架构的芯片在性能表现上已接近国际领先水平。然而，在极紫外光刻（EUV）等核心工艺环节，中国仍存在技术短板，未来的增长潜力将高度依赖于设备自主化与良率提升的进程。