内存

英伟达发布定制HBM技术NVHBM，通过集成内存控制器至HBM基础裸片，实现带宽较HBM4E提升30%、功耗降低15%，并释放主芯片25%空间。亚马逊Annapurna Labs为首个合作伙伴，该技术旨在通过标准化方案加速定制AI芯片开发，而非取代通用HBM。

Arm在Hot Chips 2026发布首款AI专用数据中心CPU“Arm AGI CPU”，由Meta联合开发。该芯片采用台积电3nm工艺，双芯粒设计，每芯粒70个Neoverse V3核心（屏蔽4个后单芯片136核），TDP 300W，支持DDR5-8800及PCIe 6.0。旨在解决x86在AI算力与能效上的瓶颈，预计2027-2028财年推向市场。

AMD因用户强烈反弹，将为消费级Ryzen处理器恢复TSME内存加密功能。此前该功能被AGESA微码悄然关闭，仅保留在PRO等高端产品线，而英特尔竞品仍开放类似功能。AMD将通过UEFI固件更新，自2026年7月起由主板厂商发布BIOS恢复该选项。

消费级DRAM供给紧缩，三大原厂优先HBM与服务器内存，DDR4投片缩减。需求转向DDR2/DDR3，DDR2合约价二季度涨55%-60%，三季度再涨35%-40%。品牌厂与ODM厂降级使用，缺货压力向下传导。

杰富瑞研报预测，2026年Q3全球存储芯片价格环比涨40%-50%，Q4涨30%-40%，2027全年均价同比涨约40%-45%，降价或始于2028年，届时跌幅15%-20%。

二手交易平台出现大量低价假DDR5内存，号称SK海力士16GB仅售179元。拆解发现颗粒内部为空壳，无硅芯片，仅靠胶水与焊锡伪装。上机无法通过自检，可能损坏其他硬件。提醒存储芯片涨价期间，切勿贪图便宜。

央视报道，深圳华强北内存条价格近期暴涨，DDR5单条两天内涨约300元，DDR4涨幅温和。存储成本占整机物料已从15%升至30%以上，高端机型超35%，行业利润逻辑面临调整。

在2026年国际高性能计算大会上，联想指出AI需求使DRAM和NAND价格高位运行，2030年前难以回落至2025年初水平。扩产仅能缓解缺口，美光、三星等厂商同样面临供应紧张。内存条、固态硬盘及依赖存储芯片的电子产品价格将长期居高不下。

投行Jefferies报告指出，存储芯片涨价周期长且猛，2026至2027年价格持续攀升，2028年新增产能释放后或回落15%至20%。供需失衡源于云服务锁单挤压消费电子。国产内存售价与国际持平，仅产能优势，2028年前难撼动全球格局。苹果因成本上涨提价20%，正寻求采购长鑫存储芯片。

硬件改装达人利用酷睿2四核处理器、第一代DDR内存主板及ATI加速图形端口显卡，成功运行Windows十一系统。通过强制安装二零一二年驱动实现稳定工作，系统流畅运行游戏及视频硬解码，得益于微软对传统基本输入输出系统架构的支持。