NEO Semiconductor 完成 3D 堆叠内存 X-DRAM 概念验证,可用现有 NAND 产线制造
4 月 24 日消息:3D 存储新突破,X-DRAM 完成概念验证 半导体行业又有新动静了。就在美国加州当地时间 23 日,3D 存储半导体 IP 领域的玩家 NEO Semiconductor 正式宣布,其创新的 X-DRAM 技术已经成功完成了概念验证芯片的制造。这事儿的关键点在于,它证明了这种
4 月 24 日消息:3D 存储新突破,X-DRAM 完成概念验证
半导体行业又有新动静了。就在美国加州当地时间 23 日,3D 存储半导体 IP 领域的玩家 NEO Semiconductor 正式宣布,其创新的 X-DRAM 技术已经成功完成了概念验证芯片的制造。这事儿的关键点在于,它证明了这种 3D 堆叠内存,完全可以在现有的 3D NAND 闪存生产线上制造出来。这意味着什么?意味着通往高性能、高密度内存的道路上,可能又多了一条颇具性价比的捷径。
那么,这次验证芯片的表现究竟如何?数据说话:它实现了高达 10¹⁴ 次的循环耐久度,读写延迟被控制在小于 10 纳秒的水平。更值得一提的是,在 85℃ 的高温环境下,其数据保持时间超过了 1 秒。这里需要划个重点:根据行业标准组织 JEDEC 的规定,标准 DRAM 的数据保持时间要求是 64 毫秒。也就是说,X-DRAM 验证芯片的这项数据,足足达到了标准要求的 15 倍以上。这无疑是一个相当亮眼的指标。

技术突破之外,资本市场的动向也值得关注。NEO Semiconductor 在发布技术进展的同时,还宣布获得了由宏碁创始人施振荣先生领投的一笔新战略投资。行业资深人物的加持,往往被视为对技术前景和市场潜力的双重认可。这笔资金的注入,无疑将为 X-DRAM 技术的后续研发与商业化进程,提供更坚实的支撑。
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