NEO Semiconductor 完成 3D 堆叠内存 X-DRAM 概念验证，可用现有 NAND 产线制造

4 月 24 日消息：3D 存储新突破，X-DRAM 完成概念验证

半导体行业又有新动静了。就在美国加州当地时间 23 日，3D 存储半导体 IP 领域的玩家 NEO Semiconductor 正式宣布，其创新的 X-DRAM 技术已经成功完成了概念验证芯片的制造。这事儿的关键点在于，它证明了这种 3D 堆叠内存，完全可以在现有的 3D NAND 闪存生产线上制造出来。这意味着什么？意味着通往高性能、高密度内存的道路上，可能又多了一条颇具性价比的捷径。

那么，这次验证芯片的表现究竟如何？数据说话：它实现了高达 10¹⁴ 次的循环耐久度，读写延迟被控制在小于 10 纳秒的水平。更值得一提的是，在 85℃ 的高温环境下，其数据保持时间超过了 1 秒。这里需要划个重点：根据行业标准组织 JEDEC 的规定，标准 DRAM 的数据保持时间要求是 64 毫秒。也就是说，X-DRAM 验证芯片的这项数据，足足达到了标准要求的 15 倍以上。这无疑是一个相当亮眼的指标。

技术突破之外，资本市场的动向也值得关注。NEO Semiconductor 在发布技术进展的同时，还宣布获得了由宏碁创始人施振荣先生领投的一笔新战略投资。行业资深人物的加持，往往被视为对技术前景和市场潜力的双重认可。这笔资金的注入，无疑将为 X-DRAM 技术的后续研发与商业化进程，提供更坚实的支撑。