三星拟用HBM技术打造本地AI手机平板 苹果也要跟进?
移动AI算力竞赛正从云端转向设备端。三星研发微型化高带宽内存技术,通过超高纵横比铜柱与扇出型晶圆级封装,提升手机平板本地AI推理的带宽与吞吐,同时控制空间与功耗。苹果也被传出考虑为iPhone引入类似技术,下一代旗舰设备的端侧AI能力或将显著提升。
移动AI的算力竞赛,正从云端蔓延到设备本身。最近有消息传出,三星正在加速研发一种专为手机和平板设计的高带宽内存技术。其目标很明确:在不显著挤占设备内部空间、也不过度增加功耗的前提下,为更复杂的本地AI推理任务,铺平硬件道路。

三星HBM
为什么现有的方案不够用了?目前,绝大多数移动设备依赖的DRAM技术,其内部连接仍以传统的铜线键合为主。这种方式的I/O端子数量通常被限制在128到256个,当面对海量、高速的数据交换需求时,带宽瓶颈、信号损耗和发热问题就会变得相当突出。
为了打破这个天花板,三星把目光投向了服务器领域已经成熟的高带宽内存技术,并计划将其“微型化”后引入移动终端。具体路径是,在智能手机和平板中,采用超高纵横比的铜柱,并结合扇出型晶圆级封装技术。这套封装方案其实并非全新,在Exynos 2600等芯片上已有应用,主要用来强化散热和维持高负载性能。现在,三星希望在此基础上更进一步,打造出更紧凑的移动版HBM,从而为本地大模型的运行提供前所未有的内存带宽和数据吞吐能力。
技术细节揭示了其中的门道。通过持续研发,三星已经能在有限空间内,采用阶梯式结构堆叠多层DRAM裸片,并用铜柱填充层间空隙。关键在于,他们将垂直铜柱封装的纵横比,从传统的3:1到5:1,大幅提升到了15:1甚至20:1。这个数字的提升,直接意味着整体带宽性能的飞跃。
当然,高纵横比设计是一把双刃剑。随着铜柱变得又细又长,其直径必须相应缩小。一旦直径低于10微米这个临界点,铜柱在制造和使用过程中就可能出现弯曲或断裂,可靠性面临挑战。这时,扇出型晶圆级封装技术就派上了用场——它通过将铜布线向外延展,为整个封装结构提供了额外的机械支撑。这一招不仅增强了稳定性,还顺带增加了可用的I/O端子数量,预计能带来约30%的带宽增益。
目前,这项技术何时能正式商用还没有确切时间表。不过,从产品迭代的节奏来看,它很有希望率先搭载在未来的Exynos 2800或2900移动平台上。值得注意的是,这场移动端的内存升级并非三星的独角戏。有消息称,苹果也在考虑为未来的iPhone引入高带宽内存技术,以全面提升端侧AI的体验。看来,下一代旗舰手机的“大脑”,正在迎来一次深刻的内部改造。
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