联华电子推出 14nm eHV FinFET 技术平台 面向手机 DDIC 等应用
联华电子推出14纳米嵌入式高压FinFET工艺平台,用于显示驱动芯片。相比现有22纳米技术,新平台可降低功耗40%,节省芯片面积35%。它采用三维晶体管结构,优化电气性能,支持高分辨率与高刷新率显示需求,是FinFET技术首次应用于该领域的重要进展。
近日,联华电子(联电,UMC)公布了一项针对显示驱动芯片的新技术:14纳米嵌入式高压(14nm eHV)FinFET工艺平台。根据官方信息,与当前已量产的最先进eHV制程(基于22纳米节点)相比,这项新技术有望实现功耗降低40%,芯片面积节省35%的显著提升。
联电指出,其现有的22纳米eHV技术已经能够支持更小型、更轻薄的显示驱动模块设计,从而有助于延长移动设备的电池续航,并满足高端乃至折叠屏OLED智能手机的显示需求。而新推出的14纳米eHV平台,则是在此基础上的又一次重要跨越。
具体到数字电路部分,14纳米eHV不仅采用了三维的FinFET晶体管结构,还通过对I/O元件的优化设计和更高的驱动速度,进一步提升了电气性能与信号完整性。这确保了技术能够支持高分辨率显示应用所必需的高刷新率。同时,优化后的中压组件具备更小的线宽间距和更宽的工作电压范围,为驱动电路的设计提供了更大的灵活性。

联电技术研发副总经理徐世杰对此评论道:
显示应用正变得无处不在,市场对更高画质、更快速度、更低功耗的追求将持续下去。联电很荣幸能在显示驱动IC领域保持技术领先。此次14纳米eHV平台的推出,标志着FinFET技术首次被引入显示驱动领域,是一个重要的里程碑。随着客户产品功能的不断升级,联电将继续凭借领先的制程技术,助力客户将创新构想转化为可大规模量产的产品。
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