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三星电子全球首发HBM4E 12层样品 最高速率达16Gbps

  发布于2026-05-29 阅读(0)

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【CNMO科技消息】5月29日,三星电子正式官宣,向全球客户供应了全球首款HBM4E 12层样品——这距离它在今年2月启动HBM4量产出货,只隔了不到四个月。节奏之快,意图也很明确:要在AI基础设施这个赛道上,把产品迭代的油门踩到底。



先看核心参数。这款HBM4E 12层产品在设计和工艺上做了针对性优化,单引脚传输速率从14Gbps直接拉到了最高16Gbps,相比上一代HBM4提升了超过20%。换算成带宽,单堆栈就能提供每秒3.6TB的数据吞吐能力——这组数字意味着什么?简单说,大语言模型和下一代AI系统那些高强度计算需求,它基本都能兜得住。

容量方面同样有看点。HBM4E 12层做到了48GB,比前代提升了30%以上。三星的规划也很清晰:后续还会推出32GB的8层版本和64GB的16层版本,覆盖不同客户的不同场景。说白了,就是按需配置,从入门到旗舰一网打尽。

工艺层面,HBM4E沿用了已经在HBM4上验证过的方案——10纳米级第六代DRAM,搭配三星自研的4纳米逻辑芯片。这套组合拳的好处显而易见:先进工艺的稳定性更有保障,良率和量产能力也能兼顾。此外,产品在低功耗设计和封装结构上也做了优化,能效比前代提升了16%,热阻特性改善了超过14%。这些数字放在实际部署中,直接影响的是散热成本和运营功耗,业内应该都会关注。

接下来就看量产节奏了。三星表示,会根据客户的时间表来推进量产供货。背景信息是:今年2月他们已经实现了HBM4的量产出货,客户对HBM4在速度和功耗上的反馈相当积极。去年12月,HBM4在SiP测试中就跑到了11.7Gbps,拿到了较高级别评价。由于HBM4和HBM4E用的是同一套1c DRAM加4纳米基础芯片组合,业内自然也在盯着HBM4E后续转入量产的进展——毕竟,工艺一致性高,量产爬坡的难度理论上会低一些。三星这盘棋,才刚刚开始落子。

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