三星全球首发HBM4E 12层内存样品 进一步发力AI市场

三星在HBM领域的推进速度，确实让人不得不关注。就在今年2月刚刚量产HBM4之后，5月29日，三星电子宣布已经开始向全球主要客户交付业界首款12层HBM4E高带宽内存样品。三个月时间就完成了迭代，这个节奏在存储行业里并不常见。

这次交付的12层HBM4E，单颗容量直接拉到48GB，相比上一代提升了超过30%。而且三星已经在规划后续产品线：32GB的8层版本，以及64GB的16层版本，都会根据客户需求陆续补齐。说白了，HBM这条路，三星打算把容量阶梯做得很全。

性能方面，HBM4E的单引脚数据传输速率最高可以达到16Gbps，比HBM4提升了20%以上，单堆栈带宽达到每秒3.6TB。这个数据对大型语言模型和下一代AI计算系统来说意味着什么？意味着内存带宽瓶颈会被大幅缓解，处理效率能上一个大台阶。背后支撑这些指标的，是三星先进的第六代10纳米级（1c）DRAM工艺，再加上三星自家代工厂的4纳米逻辑基础裸片技术。工艺和逻辑层绑在一起做，稳定性和协同效率确实有保障。

除了速度和容量，能效和散热这次也有明显优化。通过低功耗设计和改良的封装结构，HBM4E的能源效率提升了16%，热阻特性改善了14%以上。对于数据中心那种高负载、高密度的场景，发热量降低意味着散热成本下降、设备寿命延长——这些都是实打实的运营收益。按照三星的规划，样品测试和优化完成后，就会配合客户的需求节点，启动HBM4E的大规模量产。接下来就看客户那边的反馈和排期了。