铠侠2026年推332层BiCS10 1Tb NAND，

从目前的节奏来看，可以说在NAND闪存这个赛道上，铠侠已经放出了下一步棋。据悉，他们计划在2026年夏天推出BiCS10 1Tb TLC NAND闪存样品，这直接冲着PCIe Gen6接口的下一代企业级固态硬盘去的。

这次的BiCS10，堆叠层数定在了332层。这个选择，其实挺有意思的。与一些同行冲到400层以上的激进路线不同，铠侠这次选的是332层，背后显然是经过一番权衡的——制造工艺好不好控制、综合成本划不划算、能效表现如何、长期可靠性有没有保障。把这几样东西放在一块儿盘算，公司给出的结论是：相比于部分400层方案，332层设计能在单位容量成本上压下来大约10%，能效也能提升个10%左右，可靠性指标更是直接往上提了35%。这个账，算得很清楚。

再来看市场的大趋势。铠侠对于接下来两三年（2026到2028年）的判断是，全球NAND闪存的出货总容量会保持每年22%的复合增长率。其中，数据中心这块儿的增速直奔46%，而AI推理相关的需求更猛，年增速有望冲到86%——这几乎是独一档的存在。眼下这个节点，NAND市场确实还处在供需关系最拧巴的时期，不过随着产能逐步调整、需求结构慢慢优化，这副失衡的局面应该会一点一点缓和下来。

面对这种趋势，铠侠也在加快转型。方向很明确：往高附加值领域走，特别是数据中心和企业级固态硬盘这些高端产品线。目标是让这块业务的营收占比提到60%以上，把整体盈利水平实实在在拉上去。至于传统的个人电脑和智能手机市场，预计收入还是会保持稳定。制程演进方面，公司打算在2026到2028财年之间持续推进技术升级，力争每年让前端单位容量成本下降约10%。再往后，到2029财年之后，更先进制程节点的量产也会提上日程。