宏芯宇发布自研 UFS 2.2 主控芯片 HG2325，22nm 制程

三星发布了UFS5.0存储芯片，其顺序读取速度可达10.8GB/s，顺序写入速度可达9.5GB/s，性能相比于UFS4.1实现了翻倍提升，能效提升幅度超过40%，封装尺寸缩小了16.7%，最高提供了1TB容量，专门瞄准端侧AI运算，计划于今年第四季度进行大规模量产。

近日，铠侠已出货最新一代UFS5.0嵌入式闪存商业样品，基于第八代BiCSNAND闪存，可提供512GB与1TB两种容量规格，其顺序读取速度达10GB/s，而顺序写入速度达9GB/s，且封装尺寸更小，能效与热管理性能均进一步提升，预计2026年底量产。

6月23日消息，三星电子正式发布了新一代UFS 5.0闪存解决方案，官方称之为“业界速度最快”——这个头衔，从参数上看确实不虚。 先看核心数据：顺序读取速度最高可达10.8GB/s，顺序写入速度则是9.5GB/s，相比上一代UFS 4.1，两项指标均实现翻倍。这意味着什么？大型应用的加载时间、端侧A

三星推出业界首款UFS5.0闪存，基于第九代V-NAND技术，顺序读取达10.8GB/s，写入达9.5GB/s，能效较前代提升40%，引入时钟门控与多电压调控。封装尺寸缩减16.7%，最高1TB容量，计划2025年第四季度量产，首批用于旗舰手机、XR头显及AI可穿戴设备。

6月5日，2026高通汽车技术与合作峰会在江苏无锡拉开帷幕。在这场聚焦智能汽车前沿技术的盛会上，江波龙正式发布了面向车载场景的车规级UFS 4.1存储产品。 这款新品最大的看点，是搭载了江波龙自研的5nm制程主控芯片WM7400。得益于先进工艺，顺序读写性能直接拉到了4200MB/s和4000MB/

国内存储模组厂商德明利（TWSC）最近放出了一个值得关注的消息——他们推出了首款基于QLC NAND的UFS嵌入式存储方案。这款产品基于成熟的UFS 2.2标准，目标很明确：在性能上做到与同级别TLC产品掰手腕。 从技术细节来看，这款QLC UFS 2.2方案选用了慧荣的主控，支持LDPC纠错，同时

消息称某厂 16GB LPDDR6+1TB UFS 5.0 新方案已开模，预计为小米 3月12日消息，科技圈的爆料从来都是暗流涌动。这不，知名博主 @数码闲聊站 又有新料放出，一套堪称“豪华”的新存储方案已经进入开模阶段。具体来说，是16GB的LPDDR6内存加上1TB的UFS 5.0闪存。有意思的

闪迪首款 QLC UFS 4.1 解决方案 SANDISK iNAND MC EU721 发布 上周的CFMS | MemoryS 2026峰会上，闪迪扔出了一枚重磅炸弹：正式发布了其首款基于QLC NAND技术的UFS 4.1嵌入式闪存——SANDISK iNAND MC EU721。这款产品定位

10月8日，JEDEC组织宣布，新一代移动与嵌入式设备存储标准UFS5.0已基本完成制定，即将正式发布。该标准将为AI终端、智能手机以及边缘计算设备提供更高速度和更高效率的存储解决方案，并保持对UFS4.x设备的完整向下兼容性。性能提升始终是每一代新标准的核心目标。尽管UFS5.0仍采用双通道架构，但单通道带宽从UFS4.x的2.9GB/s跃升至6.4GB/s，理论最大带宽也因此由5.8GB/s增至10.8GB/s。值得注意的是，这是UFS发展史上首次出现总带宽不等于两倍单通道带宽的情况。即便如此

4月17日，有消息透露了一款新机的主要参数，疑似为即将发布的OPPOReno14手机标准版。消息源透露，Reno14标准版将搭载联发科天玑8350处理器，该处理器采用台积电4nm工艺制程，性能较前代提升约15%。预计该机还将配备LPDDR5X内存和UFS3.1闪存，进一步提升数据读写速度。在设计方面，OPPOReno14标准版将配备6.59英寸1.5KLTPS直屏，采用金属中框设计。值得注意的是，该系列全系回归直屏设计，告别了上一代的微曲屏。此外，新机还将内