SK海力士宣布交付12层堆叠HBM4E样品

6月18日，存储芯片巨头SK海力士放出一个大消息：基于长期积累的HBM领先开发能力和量产经验，他们已经成功向主要客户送出了12层堆叠的HBM4E样品。公司明确表态，接下来会跟客户密切配合，确保这款产品能按时进入量产阶段。

跟上一代HBM4相比，这次的新品在性能和能效上都有看得见的提升。HBM4E的引脚传输速率最高能达到16Gbps，能效更是提升了超过20%——这意味着AI训练和推理所需的数据处理能力被拉高了一大截。

不仅如此，HBM4E通过新一代接口和设计优化，有效降低了数据传输延迟。就算在高带宽环境下，它也能保持稳定运作。可以预期，这款产品将给下一代AI数据中心和大规模运算系统带来实实在在的效率提升。

封装技术方面，SK海力士这次使用了先进的MR-MUF（批量回流模塑底部填充）制程。简单说，MR-MUF就是在堆叠半导体芯片后，往芯片之间填充液态保护材料并固化，从而保护内部电路。这项技术让HBM4E实现了12层堆叠、48GB的容量，同时结构稳定性更强。跟HBM4相比，热阻降低了大约17%——这意味着在高效能运算环境下，产品能跑得更稳。

SK海力士表示，他们在HBM3、HBM3E和HBM4上积累的量产和供货经验，让他们能持续给客户提供合适的内存方案。未来，他们会继续发挥市场验证过的品质和供应能力，通过HBM4E跟客户一起解决AI系统的瓶颈问题，支援下一代AI基础设施建设。

SK海力士开发总监（CDO）社长安炫（Ahn Hyun）的话也很直接：要把迄今为止积累的业界领先技术竞争力和量产能力延续到HBM4E上，进一步巩固持续引领AI创新的基础。通过与合作伙伴紧密协作，以前瞻性的布局实现市场所需的价值，强化SK海力士作为“全方位AI存储创造者”（Full Stack AI Memory Provider）的技术领导地位。