SK海力士

韩国ENF科技实现半导体级氢氟酸国产化，首批产品已交付SK海力士，用于晶圆刻蚀与清洗并投入DRAM产线。自2020年起累计投资超1000亿韩元建成一体化产能，目标2026年下半年批量外供，打破日本长期垄断。

SK海力士宣布应届生招聘废除学历门槛，不再要求本科及以上学历，重点考察实操经验、专业技能与文化契合度。高中学历可申请技术岗，产线岗也取消限制。此举旨在识别复合型人才，缓解降级应聘现象，并体现AI时代强调批判性思维、动态适应与多元共情的新型人才观。

英特尔任命SK海力士前CEOSeok-HeeLee负责先进封装业务，同日宣布与苹果合作在美国本土设计制造芯片，刺激股价飙升10%创历史新高。先进封装被确立为独立运营板块，成为重振代工业务的关键举措。

SK海力士在HPED2026展出16层48GBHBM4、12层36GBHBM4及HBM3E实物，以及CXL3.2平台256GBCMM-DDR5、最大容量256GB3D堆叠RDIMM、SOCAMM2AI内存模块、PS1010eSSD，并介绍CXL全内存系统与HMSDK，目标成为全栈AI内存制造商。

SK海力士披露赴美上市计划，将在纳斯达克发行存托凭证，预计7月10日交易。作为英伟达HBM芯片核心供应商，受益于AI爆发，股价今年涨超300%，市值超越三星成韩国第一。计划发行最高45.45万亿韩元ADR，由美国银行、花旗、高盛和摩根大通承销。

SK海力士斥资400万亿韩元在韩国西南部建存储晶圆厂及HBM产线，计划2035年实现15吉瓦AI数据中心容量。SK集团在韩本土半导体、AI数据中心等累计投资已达1100万亿韩元。

韩国政府启动大规模产业投资计划，在西南部斥资约800万亿韩元新建四座芯片厂，三星和SK海力士各承建两座，目标五年内DRAM产能翻倍。同时，2035年前AI数据中心投入超1000万亿韩元，忠清地区另投81万亿韩元建设封装产业集群。政企协同推进三大超级项目，市场反应积极。

韩国总统李在明公布芯片、物理AI及AI数据中心投资计划，西南地区新项目投资5万至20万亿韩元，长远规划投入800万亿新建四座芯片厂，三星与SK海力士各两座，目标五年内DRAM产能翻倍。三星与SK集团正酝酿十年2000万亿韩元投资，或为韩国史上最大企业投资。

美光科技CEO：AI存储需求超产能，重塑行业规则 8月21日，美股存储概念股集体上扬，其中SK海力士、慧荣科技涨幅超2%，美光科技、希捷科技涨幅超1%。当天美股收盘时，美光股价上涨3.97%。从年初至今，该股累计涨幅高达239.78%。 美光科技CEO Sanjay Mehrotra在采访中断言，人

韩国政府联合三星、SK海力士推出巨额AI投资计划，两大存储巨头扩产聚焦服务器DRAM和HBM。此举或改变全球存储格局，但资本市场反应冷淡，股价下跌。其他厂商如美光、长鑫等可能跟进，新产能预计2027年后量产。

三星与SK海力士投资约5180亿美元新建四座内存晶圆厂，押注AI热潮，旨在满足人工智能对高带宽内存的强劲需求。韩国政府大力支持将内存产能翻倍，但分析师警告长期供应过剩风险，芯片行业周期性波动可能导致新产能成为巨大负担，企业需谨慎应对。

SK海力士向美国SEC提交F-1招股书，启动美股IPO，计划在纳斯达克上市，代码SKHY，并将保留韩国KOSPI上市地位实现双重上市。该公司生产AI所需的高带宽内存芯片，最新季度营业利润37.61万亿韩元，营收52.58万亿韩元，并计划到2034年将芯片产能提升至三倍。

韩国SK海力士公司位于清州的P&T7工厂，计划采购大约两百台HBM4测试仪，每台价值十五亿至二十亿韩元，订单总金额最高可达四千亿韩元，此举的目的是为了加速高带宽存储器产能扩张，以响应人工智能存储需求的激增。

SK海力士向美国SEC提交F-1招股书，拟发行美国存托股份（ADS）在纳斯达克上市，股票代码SKHY，具体规模与价格待定。此次IPO后将继续保留韩国KOSPI上市地位，形成双重上市格局，旨在拓宽融资渠道并提升全球影响力。

三星电子家电与移动部门因绩效奖金差距高达100倍引发员工强烈不满，导致离职潮，部分员工跳槽SK海力士。工会偏袒半导体部门激化矛盾，员工集体抗议，信任彻底崩塌。

SK海力士在长期供货合约中采用无价格上限模式，打破行业惯例。市场供不应求时可获全部涨价收益，与美光等竞争对手设价格上限形成对比。合约期限也由一年拉长至三至五年，以提前锁定客户需求。

三星电子和SK海力士拟要求下半年半导体基板降价，年初约3%~4%的涨幅或完全撤回。原材料成本仍高企，基板厂商面临利润空间被两头挤压的困境。韩国产业协会呼吁暂缓降价并建立可持续供应链合作机制。

韩国芯片巨头SK海力士启动约280亿美元美国上市计划，拟发行1779万股ADR，募资用于扩产HBM和NAND。受AI需求推动，股价半年飙升273%，客户包括英伟达和谷歌，并宣布投资100万亿韩元建设新厂。此次IPO规模创历史第二大。

韩国发布史上最大规模半导体投资战略，三星电子与SK海力士联合出资5200亿美元，在西南地区建设四座尖端晶圆厂，计划五年内将DRAM产能翻番，主攻DDR5与HBM等AI算力核心芯片，政府提供系统性支持以强化全球供应链地位。

SK海力士290亿美元赴美IPO，为HBM产能扩张筹资。全球存储三巨头同步扩产，拉动刻蚀、薄膜沉积等设备需求。存储芯片涨价周期叠加AI需求，半导体设备环节景气度有望持续受益，国产替代进程加速。

伯恩斯坦预计SK海力士第二季度DRAM毛利率达90.9%，第三季度有望升至92%。HBM需求强劲为主因，其占据约60%市场份额，作为英伟达主要供应商，人工智能算力需求直接转化为利润引擎。

SK海力士本周五在纳斯达克上市，集资约280.7亿美元，创外资企业赴美最大IPO。三家机构认购意向合计70亿美元。公司旨在巩固AI存储半导体竞争力，上市后有望入选纳斯达克100指数，但市场担忧投资过热与供给过剩。

SK海力士正式启动赴美上市推介活动，计划发行1779万股美国存托股票，募集约280亿美元资金。所募资金将主要用于资本支出及采购先进的极紫外扫描仪，以争夺先进制程竞赛中的核心资源，助力扩张产能。