SK海力士

存储芯片价格飙升，谁是最大赢家？ 去年下半年开始的那波存储芯片价格猛涨，想必大家还记忆犹新。这对下游的手机、电脑厂商来说，意味着成本压力骤增，部分智能手机已经因此涨价。但硬币总有另一面——对于三星、SK海力士这些站在产业链上游的存储巨头而言，这轮行情无异于一场“及时雨”，业绩随之水涨船高。 最近SK

工业气体概念逆势走强，氦气供应危机成焦点 4月9日，市场出现了一个值得玩味的现象：当大盘整体承压时，工业气体板块却逆势上扬。华特气体领涨，涨幅接近10%，金宏气体、中船特气、杭氧股份、和远气体等公司也紧随其后。这波行情背后，究竟藏着什么逻辑？ 巨头“扫货”与地缘冲突下的供应危机 直接导火索，来自全球

8月28日，据相关报道，SK海力士宣布成功研发出全球首款应用“High-KEMC”材料的高效散热型移动DRAM，并已正式启动客户供货。EMC（环氧模封料，EpoxyMoldingCompound）是半导体封装后段工艺中的核心材料，主要用于保护芯片免受湿气、高温、物理冲击和静电等外界因素损害，同时承担关键的散热功能。所谓High-KEMC，即通过引入更高热导率（K值）的材料，显著提升封装整体的导热能力，从而实现更优的散热表现。SK海力士指出，随着端侧AI（On-DeviceAI）对数据处理速度的要

12月11日最新消息，SK海力士正式宣布将与NVIDIA建立深度战略协作关系，联合推进下一代AINAND存储技术的研发，致力于突破当前AI计算与数据存储之间日益凸显的性能鸿沟。该创新性解决方案计划于2026年底交付首批工程样品，整体性能预计较当前主流产品实现近10倍跃升。在“2025人工智能半导体未来技术大会（AISFC）”上，SK海力士副社长KimCheon-seong表示，公司正围绕数据中心及边缘计算两大关键应用场景，系统性布局高技术附加值的AI专用内存产品体系。面向AI数据中心需求，SK海力士正

10月31日，据最新消息显示，三星、SK海力士以及美光纷纷透露，其下一代高带宽内存（HBM）在2025年的产能几乎已被客户预订一空。继第三季度顺利启动向英伟达供货备受关注的HBM3E产品后，三星存储部门执行副总裁金在俊在近期的财报电话会议上确认，公司为2025年规划的HBM4产能已全部售罄。他指出，尽管已大幅提升明年HBM的生产能力，但市场需求仍远超当前供应水平，为此公司正在评估进一步扩产的可能性，以应对不断增长的订单需求。与此同时，SK海力士也将HBM视为关键增长引擎。受益于HBM3E12GB及以上高

快科技11月28日消息，在近日于美国圣路易斯举行的SC25超算大会上，SK海力士集中亮相了其最新一代内存与SSD产品，尤其在大容量DDR5及HBM4内存方面的进展备受瞩目。面向数据中心特别是AI计算场景，SK海力士推出了多款定制化DDR5内存解决方案，现场共展出了六种不同规格的产品。首款为采用先进1cnm工艺的64GBDDR5RDIMM，是继1anm、1bnm之后的新一代制程，单颗芯片容量达16Gb（即2GB），整条容量64GB，最高传输速率可达8000Mbps，属全球首款该工艺的同类产品。第二款同样

1月13日消息，在美光于2025年12月正式终止运营其深耕29年的消费级品牌英睿达之后，韩国存储巨头SK海力士亦传出或将全面退出消费级DRAM与NAND业务的消息。据知名行业爆料人Jukan透露，SK海力士正评估战略调整方案，拟将产能资源从低毛利的消费终端市场逐步转移，此举若落地，将成为继美光之后，第二家主动退出该领域的全球头部存储厂商。需注意的是，不同于美光曾以“Crucial（英睿达）”自主品牌面向终端用户，SK海力士长期以晶圆和裸片形式向产业链供货，不直接参与终端品牌运营；但其DRAM与NAND芯片

9月14日，SK海力士正式宣布，已率先完成全球首款新一代HBM4内存的研发工作，并全面进入可大规模量产的阶段。此次推出的HBM4内存具备2048-bit的I/O接口位宽，单针脚带宽达到10Gbps，使得单颗芯片的数据传输速率最高可达2.5TB/s，性能表现极为亮眼。值得一提的是，这一数值已超越JEDEC标准所定义的8Gbps门槛。SK海力士表示，该内存部署于AI系统中后，有望实现最高达69%的性能飞跃。在制造工艺方面，SK海力士采用了自研的MR-MUF封装技术，并基于其第五代10nm级工艺——即1bnm技

本站6月17日消息，据韩媒TheElec报道，SK海力士计划大幅增加1bnm制程DRAM内存产能，以满足HBM3E内存需求。HBM内存对DRAM裸片的消耗远高于标准内存，因此SK海力士进一步扩张1bnm制程DRAM产能在一定程度上有助于缓解HBM内存目前的紧缺。SK海力士目标到今年年底将1bnm内存晶圆投片量增至9万片，明年上半年进一步增加到14~15万片。为此SK海力士计划将其位于京畿道利川市的M16内存晶圆厂升级至1bnm工艺。M16目前生产1ynmDRAM内存。如果完全转产至1bnm，预计将导致SK

SK海力士推出面向AI数据中心的高容量固态硬盘PS1012U.2，容量高达61TB！新闻摘要：SK海力士今日宣布其最新研发的PS1012U.2固态硬盘，专为AI数据中心的高性能需求而设计。这款2.5英寸SSD采用PCIe5.0接口，性能大幅提升，并支持OCP2.0标准，兼容性更强。公司计划于今年内向全球服务器厂商提供样品，并计划在明年第三季度推出122TB版本。面对AI时代对高性能企业级固态硬盘（eSSD）的爆炸式增长需求，SK海力士率先采用QLC技术，成功开发出这款61TB的PS10

本站6月24日消息，韩媒BusinessKorea报道，业内人士透露SK海力士在6月16至20日在美国夏威夷举行的VLSI2024峰会上发表了有关3DDRAM技术的最新研究论文。在这篇论文中，SK海力士报告其五层堆叠的3DDRAM内存良率已达56.1%，实验中的3DDRAM展现出与目前2DDRAM相似的特性。据介绍，与传统的DRAM水平排列内存单元不同，3DDRAM垂直堆叠单元，可以在相同空间内实现更高的密度。不过，SK海力士指出，与

本站11月13日消息，SK海力士NAND闪存解决方案子公司Solidigm今日宣布，推出现有最大的122TB容量NAND闪存解决方案，并基于QLC*的eSSD（本站注：企业级固态硬盘）新产品“D5-P5336”。据介绍，D5-P5336“全球首次”具备可随机写入长达五年的耐用性，适用于数据密集型的AI工作。Solidigm技术人员确认，如果客户使用该产品构建NAS，与现有的HDD、SSD混合使用方式相比，存储器搭载空间可减少至四分之一，耗电量最多可节省至84%。Solidigm方面更称，客户在构建有空间限

据韩国媒体ETNews报道，SK海力士已加快16Hi（16层堆叠）HBM3E内存的量产准备工作，目前已全面启动生产测试，为明年初的样品交付和2025年上半年的规模化量产奠定基础。SK海力士这款16HiHBM3E内存采用24GbDRAM芯片和先进的MR-RUF键合技术，单堆栈容量达到48GB，相比上一代12HiHBM3E，其AI训练和推理性能分别提升了18%和32%。值得一提的是，16Hi堆叠技术将在下一代HBM4内存中得到广泛应用。报道指出

本站8月7日消息，Solidigm当地时间6日宣布推出新一代D7级别数据中心固态硬盘D7-PS1010、D7-PS1030。这两个固态硬盘系列均支持PCIe5.0，基于SK海力士176层3DTLCNAND闪存。D7-PS1010属于标准耐用性（1DWPD）型号，提供1.92TB、3.84TB、7.68TB、15.36TB四种容量。对应到5年质保期，最大容量的15.36TB版本写入量可达28PBW。而D7-PS1030为3DWPD的中等耐用性（Mid-endurance）型号，提供1.6TB、3.2TB、6

本站11月4日消息，SK海力士CEO郭鲁正今日在韩国首尔举行的SKAISummit2024上介绍了全球首款16-HighHBM3E内存。该产品可实现48GB的单堆栈容量，预计明年初出样。虽然一般认为16层堆叠HBM内存直到下一世代HBM4才会正式商用，但参考内存领域IP企业Rambus的文章，HBM3E也有扩展到16层的潜力。此外本站注意到，SK海力士为今年2月IEEEISSCC2024学术会议准备的论文中也提到了可实现1280GB/s带宽的48GB16-HighHBM3EDRAM，本次推出的产品很可能就

本站4月25日消息，据韩媒NEWSIS报道，SK海力士在今日的2024年一季度财报电话会议上表示将在年内推出1bnm32GbDDR5内存颗粒。32Gb颗粒意味着消费级的UDIMM和SODIMM可实现64GB单条容量；企业级的RDIMM更是可以在不使用硅通孔工艺3D堆叠的情况下，达到单模组128GB，满足服务器对大内存的需求。SK海力士于2023年5月宣布完成其1bnm内存的开发。该制程采用了HKMG技术，可降低漏电，改善电容性能，进而降低功耗。参考本站以往报道，目前三星电子和美光均已官宣32GbDDR5内

本站9月3日消息，韩媒etnews当地时间昨日报道称，三星电子和SK海力士的“类HBM式”堆叠结构移动内存产品将在2026年后实现商业化。消息人士表示这两大韩国内存巨头将堆叠式移动内存视为未来重要收入来源，计划将“类HBM内存”扩展到智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，为端侧AI提供动力。综合本站此前报道，三星电子的此类产品叫做LPWideI/O内存，SK海力士则将这方面技术称为VFO。两家企业使用了大致相同的技术路线，即将扇出封装和垂直通道结合在一起。三星电子的LPWideI/O内存位宽达512bit，是

本站8月9日消息，根据SK海力士当地时间昨日发布的新闻稿，该企业在FMS2024峰会上展示了系列存储新品，其中就包括尚未正式发布规范的USF4.1通用闪存。根据JEDEC固态技术协会官网，目前已公布的最新UFS规范是2022年8月的UFS4.0。UFS4.0指定了每个设备至高46.4Gbps的理论接口速度，预计USF4.1将在传输速率方面进一步提升。▲JEDECUFS规范页面SK海力士此次展示了两款UFS4.1通用闪存，容量分别为512GB和1TB，均基于321层堆叠的V91TbTLCNAND闪存。而在V

本站6月7日消息，据BenchLife.info和Tom'sHardware报道，SK海力士携手HLDS，在2024台北国际电脑展上推出了合作打造的消费级存储品牌SuperMulti。HLDS即日立乐金数据储存公司，是日立和LG电子合资的一家光存储企业，也拥有显示器和传感器领域的业务。该公司已与SK海力士签订全球经销合作协议。这并非HLDS的两家股东第一次使用SuperMulti品牌，LG电子以往就推出过名为SuperMulti的多格式DVD刻录机。SK海力士此前在消费级零售存储领域仅推出过寥寥数款旗舰定

本站9月24日消息，SK海力士昨日宣布其已成功将用于优化CXL内存运行的自研软件HMSDK（本站注：异构存储器软件开发套件）主要功能在Linux操作系统上运行。该软件可根据传统内存与CXL内存的差异灵活分配存储资源。SK海力士宣称，即使不调整现有应用程序，HMSDK也可提高至少30%内存整体带宽。此外该软件还具备“基于访问频率的优化”功能，可将高频使用数据迁移至快速内存，从而提升12%系统性能。随着下半年首批支持CXL2.0的服务器CPU问世，CXL有望正式进入商业化阶段。SK海力士正为此对96GB、12

本站8月20日消息，据韩媒MK报道，SK海力士负责HBM内存业务的副总裁RyuSeong-soo当地时间昨日在SK集团2024年度利川论坛上表示，M7科技巨头都表达了希望SK海力士为其开发定制HBM产品的意向。本站注：M7即Magnificent7，指美股七大科技巨头苹果、微软、Alphabet（谷歌）、特斯拉、英伟达、亚马逊以及Meta。RyuSeong-soo提到其在周末仍不断工作，与M7企业进行电话沟通，并为满足这些企业的需求四处奔波以整合SK海力士内部和韩国各地供应链企业的工程资源。这位高管认为，

本站9月9日消息，《韩国经济日报》当地时间本月3日报道称，由于QLC企业级固态硬盘销售状况良好，SK海力士旗下Solidigm的中国大连晶圆厂将在一段时间内延续FG（本站注：浮动栅极，FloatingGate）NAND闪存工艺，并获得新的设备投资。Solidigm大连晶圆厂随英特尔NAND闪存与固态硬盘业务一同加入SK海力士，目前主要生产192层FG结构NAND闪存，贡献SK海力士整体闪存生产能力的约三成。▲基于192层FGQLCNAND的SolidigmD5-P5336固态硬盘一个NAND单元存储的二进

本站9月12日消息，SK海力士昨日宣布成功开发适用于数据中心的PEB110E1.S高性能企业级固态硬盘，并表示其基于238层V8NAND闪存、支持PCIe5.0、兼容OCP2.5、可提供2/4/8TB三种容量版本。而SK海力士在油管平台的宣传片中介绍了PEB110固态硬盘8TB容量版本的具体性能参数与能效表现：在顺序读写操作速率方面，PEB1108TB可实现13850MB/s的顺序读取和8200MB/s的顺序写入，分别较自家上代PCIe4.0接口EDSFFE1.S企业级固态PE9010同等容量版本高出85