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美股异动丨SK海力士盘前涨3.43% 与闪迪联合发布HBF首份标准规范
美股异动丨SK海力士盘前涨3.43% 与闪迪联合发布HBF首份标准规范

SK海力士盘前涨3.43%,与闪迪联合发布全球首个高带宽闪存(HBF)规范。HBF介于HBM与SSD之间,容量最高512GB,带宽0.4-3.0TB/s,采用UCIe开放标准,谷歌等已加入联盟,并通过OCP向行业开放。

DRAM变局?SK海力士营收份额仅领先美光1%
DRAM变局?SK海力士营收份额仅领先美光1%

2026年第二季度全球DRAM营收份额中,三星以39%居首,SK海力士以26%仅领先美光1个百分点。HBM3E价格下跌、HBM4延迟及早期低价长期协议拖累其营收,技术迭代与价格博弈下先发优势未直接转化为营收优势。

美股三大指数小幅高开 SK海力士涨近3%
美股三大指数小幅高开 SK海力士涨近3%

人民财讯8月11日电,美股三大指数开市整体略有上扬,道指上涨0.22%,标普500指数上涨0.13%,纳指上涨0.23%。个股方面,英伟达涨近2%,SK海力士涨近3%。

单季最高暴涨83%!手机内存全系涨价:三星猛涨、SK海力士跟进
单季最高暴涨83%!手机内存全系涨价:三星猛涨、SK海力士跟进

5月15日,TrendForce放出了一组最新存储器调查数据,直接把手机内存涨价的烈度摊在了台面上——LPDDR5X合约价单季环比飙涨78%到83%,LPDDR4X同期也涨了70%到75%。这两个数字,都是近几个季度以来的峰值。 这轮涨价的看点,其实不在涨幅本身,而在于两大韩系原厂三星和SK海力士,

芯片股暴涨:费城半导体指数涨超6%!闪迪、英特尔大涨超10%,SK海力士涨8%,美光涨7%
芯片股暴涨:费城半导体指数涨超6%!闪迪、英特尔大涨超10%,SK海力士涨8%,美光涨7%

美股三大指数收涨,道指与标普500创历史新高。芯片股强劲反弹,费城半导体指数涨超6%,闪迪、英特尔涨超10%,SK海力士涨8%,美光涨7%。地缘局势缓和,国际油价重挫超6%,市场风险偏好显著回升。

股东就奖金问题起诉三星、SK海力士
股东就奖金问题起诉三星、SK海力士

股东运动总部起诉三星电子与SK海力士高管及韩国雇佣劳动部长,指控将奖金与营业利润挂钩的协议构成背信,且部长在调解中滥用职权。目前劳资谈判陷入僵局,民事程序正在筹备中。

韩国警方立案调查三星、SK海力士CEO,涉嫌“绩效奖金”方面的背信罪
韩国警方立案调查三星、SK海力士CEO,涉嫌“绩效奖金”方面的背信罪

韩国小股东团体投诉三星电子和SK海力士高管,指控其与工会达成绩效奖金协议时未经审慎评估,涉嫌背信罪。京畿南部警察厅已立案调查。两家公司分别设定了半导体业务绩效收益10.5%和营业利润10%的奖金安排,股东团体认为该协议须经股东大会批准。

美媒称三星电子和SK海力士正评估中微半导体芯片制造设备,三星否认
美媒称三星电子和SK海力士正评估中微半导体芯片制造设备,三星否认

美媒报道,三星电子与SK海力士正评估中微半导体芯片制造设备,考虑引入中国工厂。三星否认,SK海力士不予置评。测试约两年前启动,正值美国对华出口限制不确定性加剧。

三星、SK海力士承诺提高股东回报
三星、SK海力士承诺提高股东回报

韩国存储芯片企业三星电子与SK海力士承诺提升股东回报,因AI驱动高带宽内存需求推动季度利润创纪录。同日,韩国股东团体指控两公司高管在绩效奖金谈判中涉嫌背信,案件已移交警方调查。

美股异动丨存储板块遭血洗,闪迪跌超10%居首,SK海力士ADR目前跌7.8%
美股异动丨存储板块遭血洗,闪迪跌超10%居首,SK海力士ADR目前跌7.8%

7月13日美股存储板块暴跌,闪迪跌超10%,SK海力士ADR跌7.8%,西部数据、希捷、美光跟跌。导火索为券商KIS预测SK海力士二季度营业利润60.4万亿韩元,低于市场预期65万亿,因HBM占比过高拖累均价涨幅,且营业利润率环比回落8个百分点。

美股存储股跌幅收窄:SK海力士跌幅从9%收窄至5%,美光从7.5%回升至4%
美股存储股跌幅收窄:SK海力士跌幅从9%收窄至5%,美光从7.5%回升至4%

美股存储股盘中深V反弹,SK海力士跌幅由9%收窄至5.3%,美光从7.5%回升至4%。两者走势高度同步,暗示共同驱动力,可能与库存见顶及基金调仓有关。

科技早报 | SK海力士美股市值超美光;孙东旭与前东方甄选主播合开公司
科技早报 | SK海力士美股市值超美光;孙东旭与前东方甄选主播合开公司

SK海力士美股上市首日涨近13%,市值超越美光。孙东旭与前东方甄选主播石明、天权合开公司。WPS优化存储管理,三星龙仁芯片工厂拟提前至2029年投产。腾讯洽购Manus但保留少数股东地位。长存IPO辅导团队公布,沐曦天使轮投资5000万浮盈74亿。

美股芯片股重挫,闪迪跌超12%,SK海力士ADR跌9.3%,原油飙升近10%,贵金属走弱
美股芯片股重挫,闪迪跌超12%,SK海力士ADR跌9.3%,原油飙升近10%,贵金属走弱

2026年7月14日,美股芯片股重挫,闪迪跌超12%,SK海力士ADR跌9.3%,英伟达、AMD等跟跌,市场担忧美国新一轮对华出口限制。同日,原油飙升近10%,受地缘局势推动;贵金属因美元走强而走弱,黄金、白银承压。

SK海力士跌4.44% 较历史高点回落超40%
SK海力士跌4.44% 较历史高点回落超40%

SK海力士股价下跌4.44%,较历史高点累计跌幅超40%。存储芯片价格见顶,下游需求放缓与库存积压导致回调。AI算力芯片布局难掩产能过剩担忧,反弹需看消费电子复苏及HBM高端产品市场份额走向。

SemiAnalysis:在他人恐惧时保持贪婪,SK海力士DRAM定价与盈利依旧强劲
SemiAnalysis:在他人恐惧时保持贪婪,SK海力士DRAM定价与盈利依旧强劲

SemiAnalysis报告称,SK海力士2026年Q2DRAM盈利强劲,均价环比涨约45%,通用DRAM涨约60%为主因,HBM价稳,与韩国券商KIS下调预测形成鲜明对比。

初期月产2万片产能!SK海力士龙仁Y1晶圆厂建设提速
初期月产2万片产能!SK海力士龙仁Y1晶圆厂建设提速

SK海力士龙仁Y1晶圆厂建设提速,已向主要合作伙伴订购先进DRAM制造设备,初期月产能为2万片晶圆。该厂位于京畿道龙仁市,一期由两个厂房骨架和六个洁净室组成,其中首座洁净室投产时间从2026年5月提前至2026年2月。

SK海力士加速龙仁半导体集群建设,Y1 ph1目标明年2月试产
SK海力士加速龙仁半导体集群建设,Y1 ph1目标明年2月试产

SK海力士加速龙仁半导体集群建设,为首座晶圆厂Y1订购先进DRAM制造设备,初期月产能2万片,目标第六代10纳米级DRAM。Y1第一个洁净室试产线提前至明年2月启动,3至4月全面安装设备,力争快速达产。

韩国拟放宽法律 助力SK海力士引入外资建设晶圆厂
韩国拟放宽法律 助力SK海力士引入外资建设晶圆厂

韩国执政党拟修改法律,允许SK海力士等企业通过合资引入外部资本建设晶圆厂,但须保持至少50%股权。现行法规禁止“子公司的子公司”设立此类合资企业。修法旨在加速晶圆厂建设以应对全球芯片竞争,同时要求合资企业总部设在首都圈以外。

SK海力士涨幅扩大至超22%再创新高,较韩国正股溢价超45%
SK海力士涨幅扩大至超22%再创新高,较韩国正股溢价超45%

SK海力士美股股价大涨逾22%,报186.24美元创历史新高,较韩国正股溢价超45%,总市值达1.36万亿美元。受机构SemiAnalysis看多报告刺激,市场聚焦其存储芯片龙头地位及AI算力对HBM的持续拉动,带动HBM供不应求,业绩预期向好。

SK海力士在美上市募资40万亿韩元 崔泰源称需求将爆发
SK海力士在美上市募资40万亿韩元 崔泰源称需求将爆发

SK海力士美国存托凭证在纳斯达克上市,募资约40万亿韩元,创外国企业在美IPO融资纪录。会长崔泰源表示,AI智能体、具身智能等新赛道正催生海量高性能存储芯片需求,未来五年产能需翻倍,考虑在美国等地区新建先进晶圆厂。

SK海力士转涨!SK董事长:明年AI芯片需求将增长100%
SK海力士转涨!SK董事长:明年AI芯片需求将增长100%

SK海力士股价出现反转。SK集团会长崔泰源公开表示,明年AI半导体需求将增长60%至100%,整体存储半导体需求增幅达50%至60%,但各厂商尚无产能扩张计划,导致供需缺口进一步扩大,存储价格上行确定性极高,预计将推动股价持续走高。

SK海力士刚上市就暴跌!带崩韩国股市 重挫三星电子
SK海力士刚上市就暴跌!带崩韩国股市 重挫三星电子

SK海力士在纳斯达克上市次日股价暴跌逾15%,创近二十年最大单日跌幅,引发三星电子股价下挫及韩国KOSPI指数盘中熔断。市场分析认为,AI热潮获利盘集中兑现及对AI内存需求增速的审慎态度是主因。

韩国综合指数跌幅收窄至1.47%,SK海力士转涨
韩国综合指数跌幅收窄至1.47%,SK海力士转涨

韩国综合指数跌幅收窄至1.47%,早盘一度跌超2%。SK海力士盘中暴跌逾5%后迅速反弹并转涨,带动半导体板块止跌回升,市场情绪有所回暖。

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