SK海力士

SK海力士纳斯达克上市首日收涨12.76%，SK集团董事长称有意发行更多美国存托凭证，并推出“内存即服务”租赁模式。CEO预测存储芯片短缺或延续至2030年后，机构提醒内存周期最早2028年可能反转。

SK海力士7月10日纳斯达克上市，融资265亿美元用于扩建半导体集群和封装设施。公司预测内存需求未来十年持续超出产能，今年在韩股价已涨逾220%，作为高带宽存储芯片巨头，其产品是AIGPU核心部件。

SK海力士在纳斯达克上市首日股价大涨超13%，融资265亿美元，用于建设韩国半导体集群和先进封装设施。公司认为全球内存市场将面临供应短缺，AI算力需求拉动高带宽存储芯片，股价今年已涨超220%。

韩国SK海力士7月13日大幅下跌逾8%，股价创下近一个月新低。本地券商KIS预测其二季度营业利润为60.4万亿韩元，低于市场一致预期，主要因为HBM收入占比过高所致，拖累了平均售价及毛利率。

韩国KOSPI指数开盘下跌1.6%，科技股领跌。SK海力士跌6.4%，三星电子跌超1%。全球半导体行业面临需求与库存双重压力，韩国芯片龙头作为行业晴雨表承压。SK海力士跌幅加深或与AI芯片需求回调及产能调整传闻有关。

SK海力士CEO警告称，全球内存短缺或持续至下一个十年，2027年将成为行业史上最糟糕的一年。三星、美光高管观点一致，美光预计届时仅能满足40%至50%的市场需求。存储行业面临长期供需失衡，形势严峻。

SK海力士赴美上市后，韩国股价大幅下跌。2026年7月13日成为关键节点，需重新审视市场变化与潜在影响。

SK海力士CEO预测，2027年存储器将面临有史以来最严重短缺，供需失衡持续至2030年后，未来十年产能仍无法满足需求。三星、美光等巨头判断相似，AI需求暴涨致使HBM等优先生产，普通DRAM被搁置。

7月13日，韩国股市下挫波及港股存储板块，南方两倍做多海力士暴跌超30%。券商调低SK海力士二季度营业利润预期，因其高带宽内存（HBM）业务占比过高压缩售价，且HBM4大规模出货未如期落地。

7月13日，韩国SK海力士股价暴跌超12%，港股南方两倍做多海力士ETF跌幅超26%，南方两倍做多三星电子跌逾15%。高杠杆产品单日跌幅超20%并不罕见，短期波动源于情绪与资金共振，后续需关注行业基本面支撑。

8月4日，海外传来一则值得关注的行业动态：SK海力士正式宣布，与闪迪联合推出了高带宽闪存（HBF）的首套标准规范。HBF被定位为下一代存储技术，两家公司组建联盟大约六个月后，就达成了这一关键里程碑。值得注意的是，谷歌与Tenstorrent也加入了该HBF联盟。那么，HBF究竟是什么？简单来说，它是

SK海力士和闪迪联合宣布，将在2026年美国加州闪存峰会期间，共同发布下一代存储技术——高带宽闪存（HBF）的首个标准规范。这一消息来自IT之家8月4日的报道。 HBF的定位很有意思——它介于HBM和固态硬盘之间，是一种全新的存储层级。既具备HBM级的高速数据传输能力，又基于NAND闪存大幅提升了容

周二亚太市场日韩股市双双高开，日经225指数上涨0.51%，韩国综合股价指数上涨1.6%。科技权重股SK海力士涨3.25%，三星电子涨1.25%，带动市场情绪偏暖。受隔夜美股科技股走强及人工智能需求提振，亚太市场风险偏好回升。

8月4日，韩国股市突然遭遇跳水行情，韩国综合指数一度跌去2.83%，直逼6080.25点。具体来看，权重股表现惨烈——三星电子盘中一度跌近5%，SK海力士的跌幅更是超过了5%，市场情绪急转直下。

SK海力士与闪迪联合发布全球首个高带宽闪存（HBF）标准规范，谷歌等加入联盟。HBF定位于HBM与SSD之间的新存储层级，旨在解决AI推理中的带宽瓶颈与容量扩展难题，规范涵盖容量、带宽及UCIe互联标准。

SK海力士与闪迪联合发布高带宽闪存（HBF）首套标准规范，基于OCP开放，全行业免费使用。HBF垂直堆叠NAND裸片，具备HBM级高速传输与大容量特性，定义8层和16层堆叠方案，最高512GB，带宽0.4-3TB/s，采用UCIe互联，谷歌等已加入标准化联盟。

SK海力士与闪迪联合发布高带宽闪存（HBF）首个标准规范。HBF介于HBM与固态硬盘之间，兼具高带宽与大容量，支持8层和16层NAND堆叠，最高512GB，带宽分三级至3.0TB/s，采用UCIe互联，由OCP发布为开放标准，已吸引谷歌等加入。

SK海力士与闪迪联合发布首套HBF标准规范。HBF作为介于HBM与固态硬盘之间的新型存储，可填补容量与速率缺口，适合AI推理。预计2027年底至2028年实现商业化，有望改变存储竞争格局，市场规模或达千亿美元级别。

SK海力士与闪迪联合发布高带宽闪存（HBF）首个标准规范，股价盘前涨3.43%。HBF定位在HBM与SSD之间，填补存储层级空白，支持最高512GB容量、0.4至3.0TB/s带宽，采用UCIe互联标准。谷歌和Tenstorrent已加入HBF联盟，规范通过OCP向全行业开放。

8月4日美股盘前存储板块走强，SK海力士联合闪迪发布高带宽闪存（HBF）首套标准，支持16层堆叠、单颗容量512GB，免费开放以抢占下一代存储标准制高点。当前DRAM供不应求将延续至2027年，但HBM4e验证进度存在不确定性。

SK海力士与闪迪于2026年8月4日宣布联手，共同推动HBF（高带宽闪存）技术发展。双方将整合资源，加速研发与商用化，旨在提升数据中心和AI应用的存储性能，引领下一代存储技术革新。

闪迪与SK海力士联合发布高带宽闪存（HBF）首个标准规范，该技术介于HBM与固态硬盘之间，兼具高带宽和大容量。采用8/16层NAND堆叠，最高512GB，带宽分三级达0.4至3.0TB/s，通过UCIe互联。规范由OCP正式发布，成为行业开放标准。

美股存储芯片板块盘前集体上涨，闪迪、美光科技、西部数据、SK海力士涨超3%，Rambus和希捷科技涨超2%。市场对存储芯片需求预期回暖，产业链上下游出现积极信号，受益于AI及数据中心需求驱动，投资者情绪乐观，板块有望延续涨势。