SK海力士、闪迪联手推动HBF，AI存储迎来新变量

北京时间8月4日，闪迪和SK海力士联手搞了个大新闻——两家公司通过OCP（开放计算项目）推出了首套HBF（高带宽闪存）标准规范。别小看这个动作，这两家可都是全球前五大NAND闪存厂商，今年2月才开始合作推动HBF标准化，才半年就拿出成果，这速度本身就说明问题。

HBF是什么？简单说，它是HBM（高带宽内存）之后，被寄予厚望的面向AI计算的新型存储。这玩意儿可能会改写行业竞争格局，甚至有分析人士认为，它的市场规模可能超过HBM。要知道，HBM目前可是香饽饽，但HBF似乎更让人兴奋。

先说说HBF的定位。它实际上是固态硬盘和HBM之间的一个“中间层”——HBM带宽高但成本高、容量有限，固态硬盘容量大但速度太慢。HBF正好填补了这个空缺，既能扩展容量，又能控制整体成本，特别适合AI推理场景。打个比方，HBM是跑车，固态硬盘是卡车，HBF就是那种既能拉货又能飙车的SUV。

虽然HBM属于DRAM（动态随机存取存储器），HBF属于NAND闪存，两者介质不同，但HBF学了个好招——也采用垂直堆叠的方式来提升容量和带宽，而且同样可以和计算芯片封在一起。闪迪之前透露过，HBF能和HBM的带宽紧密配合，在相近成本下提供相当于HBM 8到16倍的容量。具体来说，HBF在物理尺寸、功耗和堆叠高度上和HBM4差不多，但每16层堆叠就能提供高达512GB的容量，相当惊人。

有“HBM之父”之称的韩国科学技术院教授金正浩，早已对HBF寄予厚望。他今年早些时候说过，HBM是处理即时计算的“热存储”，HBF则是管理海量历史数据的“冷存储”——HBM决定速度，HBF决定容量。他还打了个比方：HBM是书架，HBF是图书馆，在图书馆里，人们可以从书架上快速取出图书。金正浩认为，AI性能竞争此前一直由GPU主导，但未来存储器将变得更加关键。由于HBM无法应对急剧增长的需求，行业不可避免地会采用HBF。

说到前景，SK海力士在一篇新闻稿中表示，行业预测包括HBF在内的复杂存储解决方案将在2030年左右开始加速增长。金正浩则更乐观，他预测HBF商业化将在2027年底至2028年实现，初期用于推理，而结合HBM和HBF的混合存储器可能成为未来标准配置。到2038年，HBF的需求将超过HBM。美银预测HBM市场将从2025年的346亿美元增长到2030年的2460亿美元。如果金正浩的预测成真，HBF市场规模很可能达到千亿美元级别。

受消息影响，美股8月3日闪迪涨6.03%，盘后继续涨3.2%。韩股SK海力士今日盘中跌超3%，可能是市场在消化消息。

接着聊另一个关键点：HBF可能改变存储竞争格局。此前HBM主要是三大DRAM厂商——SK海力士、三星电子和美光——的天下。但HBF属于NAND闪存领域，这个市场相对分散，玩家更多，除了SK海力士、三星电子和美光，还有闪迪、西部数据、铠侠、长江存储等。这意味着在HBF领域，参赛选手会更多，竞争也会更激烈。

不少NAND闪存厂商早已布局。闪迪不仅参与制定标准，还有生产计划。它采用CBA技术（一种CMOS直接键合阵列），计划今年年底向客户提供首批HBF样品，2027年初推出首批搭载HBF的AI推理设备样品。SK海力士则提出了名为“H3”的架构，把HBM和HBF整合到统一设计中，并列部署在GPU旁边，能效比高于纯HBM方案。

有消息称，SK海力士和三星电子对HBF态度不同。SK海力士在探索HBF搭配HBM的方案，以解决AI推理系统的容量限制；三星电子则试图围绕AI推理重塑存储格局，把HBF定位为比HBM更有成本效益的方案。此外，市场有消息说长江存储也计划开发HBF技术，但该公司尚未公开披露。长江存储在3D堆叠方面已有积累——混合键合被认为可能用于HBF制造，而长江存储通过晶栈Xtacking技术制造3D NAND闪存，在混合键合方向走得较早。

更多HBF产品有望明年面世。TrendForce集邦咨询研究经理敖国锋告诉记者，HBF可以在AI推理环节部分取代内存和HBM的功能，让一些长文的Token（词元）放到固态硬盘上，优化成本，帮助更多AI推理服务落地。英伟达和谷歌正在与三星、铠侠就相关类似产品线（XL Flash，Z NAND）合作，预计相关产品会在明年初发布。

话虽如此，敖国锋也提醒，HBF产品线的技术难度相当高，目前只有闪迪和SK海力士有相关技术支持量产。劣势在于生产周期较长，达到9个月，而且生产空间是正常产线的3倍，因此必须优化传输效能并增加产线寿命。这玩意儿，不是想做就能做的。