SK海力士

本站9月11日消息，SK海力士（SKhynix）昨日（9月10日）发布新闻稿，宣布成功开发适用于数据中心的高性能固态硬盘PEB110E1.S（以下简称PEB110）。PEB110简介PEB110采用第五代PCIe，带宽比现有第四代(Gen4)高一倍，数据传输速度达到了32GT/s（千兆传输/秒），由此性能较上一代产品提高1倍，能效提升30%以上。SK海力士针对该产品开发出了三种容量版本：2TB（太字节）、4TB和8TB，并支持OCP2.5版本，以提高全球数据中心的兼容性。信息安全SK海力士首次将SPDM（

本站5月14日消息，据韩媒Hankyung报道，两大存储巨头SK海力士、三星电子在出席本月早前举行的投资者活动时表示，整体DRAM生产线中已有两成用于HBM内存的生产。相较于通用DRAM，HBM内存坐拥更高单价，不过由于TSV工艺良率不佳等原因，对晶圆的消耗量是传统内存的两倍乃至三倍。内存企业唯有提升产线占比才能满足不断成长的HBM需求。正是在这种“产能占用”的背景下，三星电子代表预计，不仅HBM内存，通用DRAM（如标准DDR5）的价格年内也不会下降。SK海力士再次确认，根据截至今年底的生产能力，目前该

本站5月14日消息，SK海力士在2024年度IEEEIMW国际存储研讨会上不仅分享了HBM4E内存开发周期将缩短到一年的预期，也介绍了该内存的更多细节。SK海力士技术人员KimKwiWook表示，这家企业计划使用1cnm制程的32GbDRAM裸片构建HBM4E内存。▲SK海力士HBM3E内存背面图事实上，三大内存厂商目前均尚未量产1cnm（第六代10+nm级）制程的DRAM内存颗粒。本站此前曾报道，三星电子、SK海力士的首批1cnmDRAM预计将于今年实现量产，美光方面稍晚，要等到明年。新一代颗粒有望带来

本站5月13日消息，据台媒《经济日报》报道，SK海力士、三星电子，将从下半年停止向市场供应DDR3内存，带动近期DDR3DRAM价格上涨，最高涨幅达两成。DDR3目前已成为利基产品，在机顶盒、Wi-Fi路由器、交换机、显示器等领域仍有应用。台媒在报道中称，三星电子已向客户通知本季度末停止供应DDR3；而SK海力士已于去年底完成无锡晶圆厂的产能转换，逐步淡出了DDR3的制造。另一家DRAM内存大厂美光，虽然仍未对DDR3内存实施停产，但也大幅缩减了供应量。三家主流内存企业之所以不同程度地放弃DDR3内存市场

本站3月5日消息，据日媒《时事通信社》消息，铠侠、SK海力士双方正就在日生产HBM内存进行接洽。本站注意到，上月也曾有类似消息传出，不过当时提到的合作内容是非易失性存储器，也就是NAND闪存。目前，HBM内存作为AI半导体领域的热点之一，供不应求的局面日益凸显。以SK海力士为例，他们计划从2023年第二季度的每月35,000片提升至年底的12-14万片，但即使如此，今年的HBM配额早已售罄。扩大在日本的产能将有助于SK海力士满足市场需求，从而缓解当前的供需紧张状态。据报道，双方计划利用铠侠在日本北上市和四

本站5月7日消息，据韩媒TheElec报道，SK海力士正向东京电子（TEL）发送测试晶圆，以测试后者的低温蚀刻设备，有望在未来NAND闪存生产中导入。目前，提升堆叠层数是提升单颗3DNAND闪存颗粒容量的主要途径。然而在层数提升的过程中，在闪存颗粒中蚀刻垂直通道的难度随着深宽比的增高逐渐加大，速度也随之降低。厂商不得不考虑将整体NAND闪存分割为多个闪存堆栈制造，之后将各个堆栈键合为一体。不过多堆栈结构在键合过程中引入了对齐等新问题，性能、能效也有所下降。东京电子的新型低温蚀刻设备工作环境温度为-70℃，

本站4月9日消息，据韩媒Businesskorea报道，SK海力士、三星电子有望于年内先后启动1c纳米DRAM内存的量产。进入20~10nm制程后，一般以1+字母的形式称呼内存世代，1cnm即对应美光的1-gammanm表述，为第六个10+nm制程世代。三星方面称呼上一世代1bnm为“12nm级”。三星近期在行业会议Memcon2024上表示，其计划在今年年底前实现1cnm制程的量产；而近日据行业消息人士透露，SK海力士内部已制定在三季度量产1cnmDRAM内存的路线图。SK海力士计划提前做好准备，在1c

本站3月21日消息，三星在GTC2024展会上展示了其即将推出的28Gbps和32GbpsGDDR7显存，而海力士更进一步，该公司正在研发速度更快的显存模组。据HardwareLuxx报道，三星此前宣称正在研发37Gbps的GDDR7显存，这是目前已知速度最快的此类显存。而海力士则将目标定在了更高的40Gbps，这或将成为其整个G7系列显存的性能目标。本站注意到，新一代GDDR7内存还将提供更高的容量选择，本次展示的版本包括16Gb和24Gb的款式(分别对应2GB和3GB的显存容量)。根据JEDEC组织公

本站3月4日消息，据韩媒DealSite报道，SK海力士、三星电子今年针对HBM内存大幅扩产。不过HBM内存有着良率较低等问题，难以跟上AI市场相关需求。作为AI半导体市场抢手货的HBM内存，其采用晶圆级封装（WLP）：在基础晶圆上通过TSV硅通孔连接多层DRAM内存晶圆，其中一层DRAM出现问题就意味着整个HBM堆栈的报废。▲HBM内存结构示意图。图源SK海力士以8层堆叠产品为例，如果每一次堆叠的良率均为90%，那整体HBM堆栈的良率就仅有43%，超一半DRAM被丢弃。而当HBM进入到12层乃至16层堆

本站1月15日消息，据SK海力士透露，全新CAMM内存标准正计划向台式机领域进军。CAMM是一种新型内存标准，相比传统DRAM模块更加小巧紧凑，并支持更大的容量。该标准已经发展到第二代，即应用于笔记本电脑和轻薄型PC的LPCAMM2。LP代表低功耗，现有模块基于LPDDR5或LPDDR5X标准，提供高达9.6Gbps的传输速度。在CES2024上，博主ITSublssub访问了SK海力士展台，该公司代表确认CAMM标准将进军台式机平台，首款桌面平台CAMM产品也已在研发中，但暂未透露具体细节。爆料人HXL

本站10月25日消息，SK海力士今日在官网宣布，公司开始推进“LPDDR5T（LowPowerDoubleDataRate5Turbo）DRAM”的商用化，其目前移动DRAM中可实现9.6Gbps（每秒9.6千兆）最高速度。SK海力士表示，最近获得了将LPDDR5TDRAM适用于美国高通技术公司最新第三代骁龙8移动平台的业内首次认证。SK海力士表示，自从今年1月份开发出LPDDR5TDRAM以来，他们与高通展开了兼容性验证合作。两家公司在结合LPDDR5TDRAM和高通最新的第三代骁龙8移动平台的智能手机

本站10月26日消息，全球第二大内存芯片制造商SK海力士公司表示，人工智能的热潮将推动芯片利润增长，该公司在第三季度的亏损比上一季度大幅缩小。该公司在周四表示，用于人工智能的高级芯片的强劲需求，缓解了由于智能手机和电脑等设备中使用的普通芯片需求持续低迷而造成的影响。SK海力士表示，其销售用于科技设备的DRAM芯片的业务，在第三季度重新盈利，而今年前两个季度都是亏损的。该芯片制造商在一份声明中说：“DRAM业务……预计随着生成型人工智能的繁荣而继续改善。仍然亏损的NAND闪存业务也出现了好转的迹象。”SK海