闪存

NAND闪存供需短缺预计二零二七年下半年恢复平衡，但短期内仍面临缺口；DRAM因人工智能需求推动，短缺可能持续长达十年之久，至二零二七年底全球所有制造商仅能满足大约百分之六十市场总需求。

2026年的手机市场，出现了一个颇为戏剧性的变化——就在两年前还被当成“性能天花板”的24GB内存，如今已经彻底从主流旗舰的配置单上消失了。高通最新的骁龙8E6系列虽然硬件上依然支持24GB，但所有主流厂商都选择了集体放弃。这背后，是一场由存储芯片价格暴涨引发的连锁反应。 回顾2024年，不少主打极

“短期缺芯片，长期缺能源，永远缺存储。”2025年下半年以来，这句话被验证得淋漓尽致——AI大模型竞赛催生出史无前例的算力饥渴，而算力的背后是存储。HBM被科技巨头疯抢，DDR5价格一路狂飙，NAND闪存涨到渠道商扫货无门。在这波“超级周期”的推动下，不少存储芯片公司都在加速资本化，江波龙便是其中之

雷克沙存储卡或于6月1日起涨价，部分型号涨幅最高达25%。今年以来，多个存储品牌已陆续调价。此轮价格上涨主要受全球AI热潮驱动，AI应用大幅提升了对NAND闪存的需求，导致供应紧张。数据中心与AI基础设施快速消耗库存，推动NAND晶圆及合约价大幅攀升，预计2026年第二季度环比涨幅可能达70%至75%。

5月27日至29日，2026第十届集微大会在上海张江科学会堂举行。这届大会的主题是“AI重构未来、生态协同致远”，由半导体投资联盟、浦东科创、ICT知识产权发展联盟和海望资本联合主办，爱集微承办。可以说，来自全球产业链的资源汇聚一堂，共同探讨产业新生态的构建方向。 作为大会的重要一环，首届集微存储论

三星西安工厂成功迈入V8 NAND量产新阶段 根据韩国媒体ETNEWS于3月29日的报道，半导体产业近日迎来一则关键进展：三星电子位于中国西安的NAND晶圆厂，已成功完成一轮重要的工艺升级，正式跨入了第八代V-NAND（V8 NAND）的量产时代。这代产品的核心标志，是其高达236层的堆叠结构。 西

存储芯片涨价带来的影响还在继续，手机、电脑、游戏机等各类电子产品都在涨价。在涨价公告中，许多品牌都坦言存储成本激增是核心原因。而作为普通用户的我们，也不可避免地受到了影响，在不断变动的价格数字面前，调整着自己的购买决策。 近期，雷科技（ID：leitech）和多名用户进行了深入交流，通过聊天的方式去

闪迪正显著加快高带宽闪存（HBF）的商业化进程 AI推理时代的存储版图，正在酝酿一场新的结构性变革。继HBM之后，一个被视为关键存储层级的新技术——高带宽闪存（HBF），正吸引闪迪、SK海力士与三星电子全面入局。这标志着，存储行业下一轮核心竞争的战鼓，已然敲响。 商业化进程提速：闪迪着手搭建原型产线

随着新一代硬件平台的发布再加上Intel和AMD的大力推进，各家厂商都推出了新的PCIe 5.0 SSD。但目前大多数的PCIe 5.0 SSD虽然拥有非常高的读写性能，但却带来了更高的发热和功耗，在笔记本、迷你主机等散热空间有限的设备上，很难保证性能的稳定性，续航时间也可能受影响。而宏碁推出的这款

2026.04.23 话说回来，这张图所呈现的，其实是一个相当典型的场景。它捕捉到的瞬间，往往能反映出更深层次的趋势或状态。当然，单凭一幅画面无法讲述全部故事，但它无疑是一个有力的切入点，为我们后续的分析提供了直观的锚点。 那么，从这样的视觉信息出发，我们能解读出什么？关键在于，不能孤立地看待它，而

12月1日，存储芯片迎来新一轮大幅涨价潮，不仅使得消费者升级32GB、48GB内存的成本几乎翻倍，也直接波及SSD固态硬盘市场。目前，原本可购买2TBSSD的预算，如今仅能购入1TB产品，价格涨幅显著。相较内存芯片，闪存芯片的供应形势更为紧张。未来一段时间内，低价SSD或将彻底退出市场，这一状况预计将持续一年多，短期内难以缓解。全球闪存芯片生产主要集中于韩国、日本和美国的少数几家企业，其中三星与SK海力士在内存和闪存领域均占据主导地位。受当前高利润驱动，SK海力士已调整产线布局，将部分原用于闪存生产的产

本站12月9日消息，韩媒SEDaily当地时间本月6日援引消息人士的话称，三星电子此前已在旗下研发机构完成了4XX层第10代3DV-NAND闪存的开发，并从上月开始将该技术转移至位于平泽1号工厂的量产线上。参考本站此前报道，三星电子代表将在2025IEEEISSCC国际固态电路会议上介绍4XX层1TbTLCNAND。该产品采用晶圆键合技术，存储密度达28Gb/mm2，I/O引脚速率达5.6Gb/s。韩媒认为三星V10NAND将采用三堆栈结构。据悉该闪存在开发阶段的良率为10%~20%，而量产的门槛是60%

本站5月24日消息，近日，新紫光集团旗下紫光闪芯发布了「紫光闪存」固态硬盘及闪存产品系列。相关产品系列覆盖企业级、工业级及消费级市场的不同需求，为政府、金融、电信、能源、教育、医疗等领域行业客户和消费者带来存储产品及解决方案。日前，紫光闪芯发布的「紫光闪存」产品系列，涵盖以下分类：面向数据中心的企业级固态硬盘「UNISFlashE1000」、「UNISFlashE4000」系列面向个人电脑市场的消费级固态硬盘「UNISSSDL1」、「UNISSSDS2」、「UNISSSDS2Ultra」系列面向零售市场的

本站10月29日消息，《韩国经济日报》当地时间昨日表示，根据其掌握的最新三星半导体存储路线图，三星电子将于2026年推出的下代V-NAND堆叠层数超过400，而预计于2027年推出的0anmDRAM则将采用VCT结构。三星目前最先进的NAND和DRAM工艺分别为第9代V-NAND和1bnm（12纳米级）DRAM。报道表示三星第10代（即下代）V-NAND将被命名为BV（BondingVertical）NAND，这是因为这代产品将调整NAND结构，从目前的CoP外围上单元改为分别制造存储单元和外围电路后垂直

根据国外媒体的报道，苹果将会在2026年发布的新iPhone手机上启用更大的存储设计，预计会是2TB。另外，消息称苹果将会使用QLCNAND闪存，原因可能是控制成本。1.存储容量的变化消息称，苹果可能在iPhone16上改变存储容量。不再使用三层单元（TLC）NAND闪存，而是在存储容量达到或超过1TB的机型上使用四层单元（QLC）NAND闪存。2.QLC闪存的优势与TLC相比，QLC的优势在于每个存储单元可以存储四位数据。在使用相同数量的单元时，比TLC储存更多的数据，或者使用更少的单元储存更多的数据。

本站8月9日消息，根据SK海力士当地时间昨日发布的新闻稿，该企业在FMS2024峰会上展示了系列存储新品，其中就包括尚未正式发布规范的USF4.1通用闪存。根据JEDEC固态技术协会官网，目前已公布的最新UFS规范是2022年8月的UFS4.0。UFS4.0指定了每个设备至高46.4Gbps的理论接口速度，预计USF4.1将在传输速率方面进一步提升。▲JEDECUFS规范页面SK海力士此次展示了两款UFS4.1通用闪存，容量分别为512GB和1TB，均基于321层堆叠的V91TbTLCNAND闪存。而在V

本站7月30日消息，美光当地时间今日宣布，其第九代（本站注：276层）3DTLCNAND闪存量产出货。美光表示其G9NAND拥有业界最高的3.6GB/sI/O传输速率（即3600MT/s闪存接口速率），较2400MT/s的现有竞品高出50%，能更好满足数据密集型工作负载对高吞吐量的需求。同时美光的G9NAND在写入带宽和读取带宽方面比市场上的其他解决方案分别高出99%和88%，这一NAND颗粒层面的优势将为固态硬盘和嵌入式存储方案带来性能与能效的提升。此外，与前代美光NAND闪存一样，美光276层3DTL

本站9月9日消息，《韩国经济日报》当地时间本月3日报道称，由于QLC企业级固态硬盘销售状况良好，SK海力士旗下Solidigm的中国大连晶圆厂将在一段时间内延续FG（本站注：浮动栅极，FloatingGate）NAND闪存工艺，并获得新的设备投资。Solidigm大连晶圆厂随英特尔NAND闪存与固态硬盘业务一同加入SK海力士，目前主要生产192层FG结构NAND闪存，贡献SK海力士整体闪存生产能力的约三成。▲基于192层FGQLCNAND的SolidigmD5-P5336固态硬盘一个NAND单元存储的二进

2024年2月18日，魅族官方宣布：“魅族决定AllinAI，将停止传统‘智能手机’新项目，全力投入‘明日设备’AIForNewGenerations，迈入前景广阔的AI科技新浪潮。”随后发布的魅族21PRO亦称为“开放式AI终端”，“是魅族智能手机时代的句号，也是AI的开端”。今天魅族再度预热了AI相关的新品。目前，魅族科技最新推出三款AI新品，本月即将亮相。目前仍未透露具体会发布什么，但很快魅族将在近期发布一款中端新机：魅族21Note，将搭载骁龙8Gen2，配备5500mAh电池、66W充电，猜测应

本站4月17日消息，美光宣布其在业界率先推出232层QLCNAND闪存。该闪存在消费级零售端已用于特定英睿达固态产品中，在消费级OEM端已随2500固态硬盘向客户出样，在企业端已开始为存储企业进行批量生产。美光表示其232层QLC拥有2400MT/s的闪存I/O速率，相较自家上代176层QLC闪存提升50%，同时读取性能和编程性能也分别提升了24%和31%。美光还宣称该闪存相较多家竞争对手的QLC产品拥有28%的比特密度优势。美光此次还同步发布了采用232层QLC闪存的2500固态硬盘。该固态硬盘为PCI

本站3月29日消息，TrendForce集邦咨询预估，由于除铠侠-西部数据外的上游闪存企业仍维持低投产策略，NAND闪存合约价将在二季度上涨13～18%，带动消费级固态硬盘合约价提升10~15%。集邦咨询表示，在市场基本面上，虽然第二季度的NAND闪存的采购量小幅低于一季度，但整体市场氛围仍受到上游减产影响，同时供应商库存水位也有降低，所以闪存合约价会继续上涨。▲图源TrendForce集邦咨询分具体品类来看，在eMMC方面，由于部分供应商已降低此类产品的供应，最大需求方中国智能手机品牌开始提升国内模组厂

根据韩媒ETNews的报道，据业内人士称，三星电子近期已将NAND产能利用率提升至90%，相较一季度的80%进一步提升。本站注：对于三星电子的NAND业务，韩媒中ETNews和TheElec持较为乐观的态度，后者3月表示西安厂开工率已达70%；而《朝鲜日报》更为消极，认为三星继续在维持减产50%策略。▲三星电子第8代V-NAND闪存据报道，韩国电子媒体ETNews指出，三星部分大型闪存存储圆厂已经在实际上处于满负荷状态，明显好于去年同期60%的生产能利用率水平。报道指，中国西安工厂的产能利用率率先大幅提升

本站5月7日消息，据韩媒TheElec报道，SK海力士正向东京电子（TEL）发送测试晶圆，以测试后者的低温蚀刻设备，有望在未来NAND闪存生产中导入。目前，提升堆叠层数是提升单颗3DNAND闪存颗粒容量的主要途径。然而在层数提升的过程中，在闪存颗粒中蚀刻垂直通道的难度随着深宽比的增高逐渐加大，速度也随之降低。厂商不得不考虑将整体NAND闪存分割为多个闪存堆栈制造，之后将各个堆栈键合为一体。不过多堆栈结构在键合过程中引入了对齐等新问题，性能、能效也有所下降。东京电子的新型低温蚀刻设备工作环境温度为-70℃，