业界最高 3.6GB/s 传输速率，美光宣布第九代 276 层 TLC NAND 闪存量产

苹果与铠侠签署为期3-5年的NAND闪存长期供应协议，且可能不设价格上限。此举旨在应对AI数据中心需求激增导致的芯片供应紧张，从单纯压价转向确保稳定供货。

铠侠预测NAND闪存市场已进入由AI推理需求和供给约束驱动的超级周期，至少持续至2028年。AI推理需求年复合增速达46%，供给因优先生产HBM而受限。铠侠采取保守扩产、锁定长期协议策略，目标将数据中心营收占比提升至60%以上。

美光首席商务官SumitSadana指出，部分客户在行业低谷期采取激进压价策略，导致内存厂商利润极其微薄且失去扩产投资能力，间接加速了当前供应紧张局面的恶化，形成恶性循环并严重损害产业链稳定。

美光首席执行官批评苹果定价策略，芯片从五美元涨至五十美元，苹果却对消费者加价二百五十美元。美光高管指出，部分客户激进压价导致行业投资受阻。随后苹果因内存短缺上调Mac电脑和iPad平板价格。

美光首席执行官近日表示，内存供应短缺问题将持续相当长时期，预计到2028年行业供应逐步改善，但需求增长仍难以匹配。人工智能数据中心对内存的大量消耗，导致个人电脑及次世代游戏机价格持续上涨，高价或成常态。

长鑫存储与腾讯签订超200亿元多年期服务器DRAM芯片供应协议，正值其科创板上市前夕。全球DRAM短缺背景下，国产芯片性能达标且价格优势显著，此举填补了国内高端服务器DRAM自主供给缺口，对推进国产替代具有里程碑意义。

三星、SK海力士、美光市值相继突破万亿美元，合计垄断超九成算力服务器存储市场。内存与闪存技术驱动增长，2026年一季度三家企业利润达800亿美元。面临涨价、垄断、扩产等标签，但周期性风险依然存在。

铠侠与闪迪联合推出第十代332层QLCNAND闪存，位密度达37Gb/mm²，较第八代提升60%，采用CBA技术，接口速率4.8Gb/s，为业界首款，显著提升存储密度与性能，适用于AI、数据中心等高需求场景。

三星V10NAND已量产，助力英伟达AI服务器突破键值缓存瓶颈，但约60%产能集中于AI领域，可能引发其他行业及消费者存储供应短缺。三星预计2026年利润大幅增长，同时研发V11技术，但普通市场能否受益仍不确定。

2026年NAND闪存市场供需缺口达4%至5%，受人工智能需求爆发式增长推动，服务器出货量显著增长，但智能手机与笔记本电脑市场需求持续低迷。供应紧张局面预计在2027年下半年得到缓解，届时供需位元差有望转为正值。