铠侠与闪迪发布第十代 332 层 QLC NAND 闪存,接口速率达 4.8Gb/s
铠侠与闪迪联合推出第十代332层QLCNAND闪存,位密度达37Gb/mm²,较第八代提升60%,采用CBA技术,接口速率4.8Gb/s,为业界首款,显著提升存储密度与性能,适用于AI、数据中心等高需求场景。
8 月 4 日,铠侠株式会社正式宣布,与闪迪公司联合推出下一代四层单元(QLC)3D 闪存技术。相比双方的第八代技术,新产品在位密度上提升了最高 60%,达到超过 37Gb / mm² 的水平——这个数字,在存储行业里已经相当亮眼。

具体来看,第十代 QLC NAND 闪存采用了铠侠和闪迪自主开发的 CMOS 直接键合阵列(CBA)技术。简单说,就是把 CMOS 逻辑电路和存储阵列分别在不同晶圆上制造,然后通过高精度的晶圆对晶圆(Wafer-to-Wafer)技术键合在一起。这种设计的好处显而易见:工艺更灵活,集成密度更高。
与第八代 3D 闪存相比,新一代产品在读写带宽上也有了明显提升。更值得注意的是,它成为了业界首款接口速率达到 4.8Gb/s 的 QLC 3D NAND 闪存技术——这个速度,对于需要高吞吐量的存储场景来说,意义不小。
此外,第十代 QLC 3D 闪存采用了 332 层 NAND 堆叠技术,并配合 Toggle DDR6.0 接口与独立命令地址协议(SCA),最终实现了 60% 的位密度提升。从技术路线来看,铠侠和闪迪在 QLC 这条赛道上,确实拿出了实打实的升级方案。
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